Отзывы на Модули оперативной памяти. Рейтинг лучших моделей 2025 года .

HP 32GB (1x32GB) Quad Rank x4 PC3L-10600L (DDR3-1333) [687466-001]

2654 место из 4121

• тип: DDR3
• количество модулей в комплекте: 1

HP 2GB (1x2GB) Dual Rank x8 PC3-10600 (DDR3-1333) [595101-001]

2655 место из 4121

• тип: DDR3
• количество модулей в комплекте: 1

IBM 4Gb REG ECC Dual Rank [46C0564]

2656 место из 4121

• тип: DDR3

Elpida 1 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (EBE11FD8AJFT-6E-E)

2659 место из 4121

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC5300
• особенности: ECC

HP DIMM 8GB PC3 10600R 512Mx4

2660 место из 4121

• Форм-фактор: DIMM

Synology 4 ГБ DDR4 CL19 (D4EU01-4G)

2664 место из 4121

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.35 В

QNAP 8 ГБ DDR4 2666 МГц (RAM-8GDR4ECT0-UD-2666)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Kingston 8GB 667MHz CL5 (KTH-XW667/8G )

2999 место из 5383

• тип: DDR2
• тактовая частота: 667 МГц
• Форм-фактор: FB-DIMM
• количество модулей в комплекте: 2
• CL: 5

Kingston 8GB 1333MHz (KTH-PL313E/8G)

3013 место из 5383

• тип: DDR3
• тактовая частота: 1333 МГц
• Форм-фактор: DIMM
• количество модулей в комплекте: 1
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Micron 2 ГБ DDR2 800 МГц (MT18HTF25672AZ-80EM1)

3022 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• пропускная способность: PC6400
• особенности: ECC

Sun Microsystems 8 ГБ DDR3L 1600 МГц (7042208)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM
• тактовая частота: 1600 МГц
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Micron 2 ГБ DDR2 800 МГц (MT18HTF25672AZ-80EH1)

3029 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• пропускная способность: PC6400
• особенности: ECC

Hynix 16 ГБ DDR4 2666 МГц (HMA82GU7DJR8N-VK)

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• пропускная способность: PC21300

Kingston 4 ГБ DDR4 2400 МГц (ACR24D4S7S8MB-4)

3067 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• пропускная способность: PC19200

Nanya 1 ГБ DDR2 667 МГц

3073 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 SODIMM 200-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• пропускная способность: PC5300

Sun Microsystems 1 ГБ DDR2 533 МГц (370-6208-01)

3080 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 533 МГц
• пропускная способность: PC4200
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Synology 4GB DDR4 ECC Unbuffered Dimm

3083 место из 5383

• тип: DDR4
• Форм-фактор: DIMM

Samsung M393A8G40BB4-CWEBY ,1x 64 ГБ, DDR4-3200 , RDIMM PC4-25600R, Dual Rank x4

2786 место из 4217

• тип: DDR4
• Форм-фактор: DIMM

Hynix Модуль памяти DDR4 DIMM 8GB PC4-19200, 2400MHz, 3RD oem

• тип: DDR4
• тактовая частота: 2400 МГц
• Форм-фактор: DIMM

Corsair Vengeance LPX #CMK16GX4M2D3000C16W

2774 место из 4121

• тактовая частота: 3000 МГц

Silicon Power 8 ГБ DDR4 3200 МГц CL22 (SP008GBLFU320X02)

3186 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600

Cisco 8 ГБ DDR2 800 МГц CL6

3193 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• тайминги: 6-6-6-15
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC6400
• особенности: низкопрофильная (Low Profile)

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 64 ГБ DDR3 2666 МГц CL19 (850882-001)

3207 место из 5383

• объем памяти: 64 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (P06189-001)

3208 место из 5383

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

HP 16 ГБ DDR3L 1333 МГц CL9 (632204-001)

3211 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR3 1866 МГц CL13 (715275-001)

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1866 МГц
• тайминги: 13-13-13
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC14900
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 8 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (664696-001)

3212 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC

Samsung 1 ГБ DDR 400 МГц CL3 (M368L2923CUN-CCC)

3239 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• пропускная способность: PC3200

QNAP 4 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (RAM-4GDR4A0-UD-2400)

3246 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Elpida 8 ГБ DDR3L 1333 МГц (EBJ81RF4ECFA-DJ-F)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM
• тактовая частота: 1333 МГц
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)
• низкопрофильная (Low Profile)

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (819412-001B)

3250 место из 5383

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M393A1G43DB0-CPB)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15-15-15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Hynix 512 МБ DDR2 667 МГц CL5 (HYMP564F72CP8N3-Y5)

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC5300
• особенности: радиатор
• ECC

Nanya 2 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (NT2GT72U8PB0JY-3C)

3265 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC5300
• особенности: ECC

Kingston 4 ГБ 1600 МГц CL11 (KVR16N11S8H/4WP)

3286 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800

ЗУБР ПБЦ-М62-50 бензопила, 62 см3, шина 50 см

1114 место из 1338

• длина шины 50 см
• шаг цепи 0.325 дюйма
• объем двигателя 62 куб. см
• функции: тормоз цепи
• вес 6.1 кг

Lenovo 8GB 1.35V PC3L-12800 RDIMM (00D5036)

3102 место из 4305

• тип: DDR3
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тактовая частота: 1600
• Форм-фактор: DIMM
• количество модулей в комплекте: 1
• CL: 11

Samsung 8GB 2400MHz CL17 (M393A1K43BB0-CRC)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Derlar Saint Warrior 8GB 2666MHz CL19 (8GB-2666-HSW)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• радиатор: да

DELL 16GB 2666MHz CL19 (370-ADND)

3327 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Hynix 2GB 1333MHz CL9 (HMT125U7AFP8C-H9)

3350 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• поддержка ECC: да

Micron 8GB 1600MHz CL11 (MT16KTF1G64HZ-1G6E1)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M393B5670EH1-CH9)

3360 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M378B5673GB0-CH9)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• пропускная способность: PC10600

Samsung 16GB 2400MHz CL17 (M378A2K43BB1-CRC)

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Hynix 64 ГБ DDR4 3200 МГц CL22 (HMAA8GR7AJR4N-XN)

3410 место из 5383

• объем памяти: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22-32
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Ramaxel 4 ГБ DDR3 1333 МГц (RMR1870EC58E9F-1333)

3421 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung 8 ГБ DDR3L 1333 МГц CL9 (M393B1K70EB0-YH9)

3422 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9-36
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да