Отзывы на Модули оперативной памяти. Рейтинг лучших моделей 2025 года .

Kingston 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KSM26RS4/32MEI

1821 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19-32
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Hynix 16 ГБ DDR3L 1333 МГц DIMM CL9 HMT82GV7MMR4A-H9

1826 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: радиатор

Micron 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 MT36KSF2G72PZ-1G6N1

1828 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Micron 16 ГБ DDR3 1866 МГц DIMM CL13 MT36JSF2G72PZ-1G9

1830 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1866 МГц
• тайминги: 13-13-13
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC14900
• особенности: ECC

Kingston 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KSM26ES8/8HD

1832 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19-32
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Kingston 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 KSM29RD8/16HDR

1833 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

neoforza 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 NMUD340D81-1600DA10

1834 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

neoforza 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 NMSO340C81-1600DA10

1836 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

QNAP 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM RAM-32GDR4ECS0-UD-2666

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Foxline 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 FL2666D4S19-4G

1844 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300

QNAP 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM RAM-4GDR4ECP0-UD-2666

1846 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Micron 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA18ASF4G72PZ-2G9

1848 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Hynix 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 HMAA8GR7AJR4N-WMT4

1854 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S-4G2666C19

1858 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300

Hynix 16 ГБ DDR3L 1066 МГц DIMM CL7 HMT42GR7BMR4A-G7

1862 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM
• тактовая частота: 1066 МГц
• тайминги: 7-7-7
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC8500
• особенности: радиатор

Hynix 32 ГБ DDR3L 1600 МГц LRDIMM CL11 HMT84GL7AMR4A-PB

1866 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR3L LRDIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: радиатор

Synology 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 D4ES01-8G

1926 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A8G40AB2-CVF

1881 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Micron 64 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 MTA36ASF8G72PZ-3G2E1

1882 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC

Nanya 8 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM NT8GC72C4NG0NK-CG

1886 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Micron 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL5 MT16HTF25664HY-667E1

1891 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 SODIMM 200-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC5300

Micron 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 MT36KSF1G72PZ-1G6K1

1897 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung 16 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM

1907 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4G40AB3-CWE

1909 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC

Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M393B1K70DH0-YK0

1931 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 16 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (P00922-B21)

1935 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

AFOX 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL15 AFLD44FK1P

1957 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300

Samsung 8 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M393B1K70DH0-CH9

1944 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC

Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A1K43DB2-CWE

1960 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC

Advantech 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 AQD-D3L2GN16-SQ1

1971 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Synology 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 D4EC-2666-8G

1972 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 16
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

HUAWEI 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM 06200282

1976 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

HUAWEI 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 06200241

1978 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Synology 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 D4EC-2666-16G

1980 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 16
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 16 ГБ DDR4 2133 МГц (774172-001B)

1986 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Hynix 2 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 HMT325U7BFR8A-H9

2005 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC

Micron 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 MTA16ATF2G64HZ-2G3

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 M386A8K40DM2-CVF

2010 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 LRDIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 16 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (809081-081)

2012 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: ECC

Synology 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM D4ECSO-2666-16G

2052 место из 4305

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Synology 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 D4RD-2666-16G

2019 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 16
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Micron 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA18ASF2G72PDZ-2G9J3

2021 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

HP 4 ГБ DDR2 667 МГц DIMM CL5 398708-061

2028 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC5300
• особенности: радиатор

Elpida 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM EBE21UE8AFSA-8G-F

2030 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 SODIMM 200-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC6400

Synology 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 D4NE-2666-4G

2032 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 16
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300

Hynix 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 HMA84GR7AFR4N-VK

2038 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19-32
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

DELL 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 370-AEQF

2085 место из 4305

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 8 ГБ DDR4 2133 МГц (782692-B21)

2067 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• пропускная способность: PC17000
• особенности: низкопрофильная (Low Profile)