Отзывы на Модули оперативной памяти. Рейтинг лучших моделей 2026 года .

Netac Shadow 16 ГБ DDR4 DIMM CL19

1430 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: радиатор

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M378B5773DH0-CH9)

3581 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung 4GB 1600MHz CL11 (M378B5173CB0-CK0)

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1600 МГц
• CAS Latency (CL): 11

Samsung 16 ГБ DDR3 1866 МГц DIMM CL13 M393B2G70QH0-CMA

3946 место из 4166

• DDR3 1866 DIMM 240 pin
• 1x16 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.5 В
• CL 13

Samsung 2 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5673DZ1-CF8

3588 место из 4465

• DDR3 1066 (PC 8500) SODIMM 204 pin
• 1x2 Гб
• 1.5 В
• CL 7

Patriot Memory SL 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (PSD32G13332)

145 место из 4465

• DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin
• 1x2 Гб
• 1.5 В
• CL 9

Kingston Fury Beast (KF560C40BBK4-64)

AMD Radeon R9 Gaming Series (R9432G3206U2S-UO)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 16-18-18-38
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: радиатор

Patriot Memory SL (PSD44G213381S)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15-16-16-39
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: игровая

Kingston 16 ГБ DDR4 DIMM CL22 (KSM32RS4/16MRR)

1428 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: Registered

Netac DDR4 DIMM CL19 (NTSDD4P26SP-08R)

1308 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19-43
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: радиатор

Hynix 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 HMT41GS6AFR8C-PB

2212 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A4K40CB2-CVF

Hynix 16 ГБ DDR3 1866 МГц DIMM CL13 HMT42GR7AFR4C-RD

2359 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1866 МГц
• тайминги: 13-13-13
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC14900
• особенности: ECC

HyperX Оперативная память DIMM 32 Гб DDR4 3600 МГц Kingston Fury Beast (KF436C18BBK2/32) PC4-28800 2x16 Гб

2321 место из 4119

• тип: DDR4
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тактовая частота: 3600 МГц
• Форм-фактор: DIMM
• количество модулей в комплекте: 2
• CL: 19
• особенности: радиатор

Silicon Power 16GB 3200MHz CL16 (SP016GXLZU320B0A)

Silicon Power 16GB 2400MHz CL17 (SP016GBLFU240BS2)

Patriot Memory 2 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL5 PSD22G8002

1392 место из 4166

• DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240 pin
• 1x2 Гб
• 1.9 В
• CL 5

PATRIOT Viper Elite II (PVE2464G400C0K)

• количество модулей в комплекте: 2 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тактовая частота: 4000 МГц
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тайминги: 20-26-26-46
• напряжение питания: 1.4 В
• пропускная способность: PC32000
• особенности: Registered

ExeGate 4 ГБ DDR4 DIMM CL17 (EX288047RUS)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: игровая

ADATA 32 ГБ DDR4 SODIMM (AD4S320032G22-SGN)

ExeGate 8 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 EX287010RUS

1628 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0

2206 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Silicon Power 8GB 2400MHz CL17 (SP008GBLFU240BS2)

NCP NCPT8AUDR-25M88)

1375 место из 4166

• DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240 pin
• 1x2 Гб
• 1.8 В

Samsung 16 ГБ DDR3 RDIMM (M392B2G70BM0-YH9)

1225 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC

Lenovo 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 4ZC7A08710

2107 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Kingston ValueRAM 32 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 KSM24RD4/32MEI

2271 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: ECC

Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (M386A8K40BM1-CRC)

1634 место из 6240

• DDR4 2400 (PC 19200) LRDIMM 288 pin
• 1x64 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.2 В
• CL 17

Patriot Memory 1 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL5 PSD21G8002

• DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240 pin
• 1x1 Гб
• 1.8 В
• CL 5

Kingston 4 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL5 KVR667D2S5/4G

4145 место из 4166

• DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200 pin
• 1x4 Гб
• 1.8 В
• CL 5

ADATA XPG Gammix D35 Gaming Memory (AX4U32008G16A-SBKD35)

• Тип памяти: DDR4
• Форм-фактор: DIMM
• Количество контактов: 288
• CL: 16
• tRCD: 20
• tRP: 20
• tRAS: 29
• Напряжение питания: 1.35 В

Samsung DDR5 DIMM 32Gb 5600Mhz (M323R4GA3DB0-CWM)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тактовая частота: 5600 МГц
• тип: DDR5 DIMM 288-pin
• тайминги: 40-40-40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC44800

Netac Shadow RGB 16 ГБ DDR4 DIMM CL16

1446 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 2 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 16
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: радиатор

Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M393B1G70BH0-YK0

1892 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B1G70QH0-YK0

2221 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5173EB0-YK0

2224 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung 16 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M393B2G70BH0-YH9

4055 место из 4166

• DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin
• 1x16 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.5 В
• CL 9

Qumo QUM4U-16G3200N22

1525 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• пропускная способность: PC25600

AFOX 8 ГБ DDR3 DIMM CL11 (AFLD38BK1P)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: Unregistered

Micron 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA36ASF8G72PZ-2G9B2

1962 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Elpida 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (EBJ20UF8BCF0-DJ-F)

3433 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Micron 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM MT8JTF51264AZ-1G6E1

2092 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Qumo 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 QUM3S-4G1333K9R

2384 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9-24
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Hynix 4GB 2133MHz CL15 (H5AN4G8NMFR-TFC)

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2133 МГц
• CAS Latency (CL): 15

Hynix 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HMT451U6AFR8C-PB

2111 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800

Hynix 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM HMA82GS6CJR8N-XNN0

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600

Samsung 8 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M393B1K70DH0-YH9

2209 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC