Отзывы на Модули оперативной памяти. Рейтинг лучших моделей 2026 года .

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR3 1866 МГц CL13 (715275-001)

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1866 МГц
• тайминги: 13-13-13
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC14900
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 8 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (664696-001)

3212 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC

Samsung 1 ГБ DDR 400 МГц CL3 (M368L2923CUN-CCC)

3239 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• пропускная способность: PC3200

QNAP 4 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (RAM-4GDR4A0-UD-2400)

3246 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Elpida 8 ГБ DDR3L 1333 МГц (EBJ81RF4ECFA-DJ-F)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM
• тактовая частота: 1333 МГц
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)
• низкопрофильная (Low Profile)

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (819412-001B)

3250 место из 5383

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M393A1G43DB0-CPB)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15-15-15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Hynix 512 МБ DDR2 667 МГц CL5 (HYMP564F72CP8N3-Y5)

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC5300
• особенности: радиатор
• ECC

Nanya 2 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (NT2GT72U8PB0JY-3C)

3265 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC5300
• особенности: ECC

ЗУБР ПБЦ-М62-50 бензопила, 62 см3, шина 50 см

1114 место из 1338

• длина шины 50 см
• шаг цепи 0.325 дюйма
• объем двигателя 62 куб. см
• функции: тормоз цепи
• вес 6.1 кг

Lenovo 8GB 1.35V PC3L-12800 RDIMM (00D5036)

3102 место из 4305

• тип: DDR3
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тактовая частота: 1600
• Форм-фактор: DIMM
• количество модулей в комплекте: 1
• CL: 11

Samsung 8GB 2400MHz CL17 (M393A1K43BB0-CRC)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

DELL 16GB 2666MHz CL19 (370-ADND)

3327 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Hynix 2GB 1333MHz CL9 (HMT125U7AFP8C-H9)

3350 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M393B5670EH1-CH9)

3360 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M378B5673GB0-CH9)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• пропускная способность: PC10600

Samsung 16GB 2400MHz CL17 (M378A2K43BB1-CRC)

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Hynix 64 ГБ DDR4 3200 МГц CL22 (HMAA8GR7AJR4N-XN)

3410 место из 5383

• объем памяти: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22-32
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Ramaxel 4 ГБ DDR3 1333 МГц (RMR1870EC58E9F-1333)

3421 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung 8 ГБ DDR3L 1333 МГц CL9 (M393B1K70EB0-YH9)

3422 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9-36
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (MT8JTF25664AZ-1G4M1)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Micron 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (MT8JTF25664AZ-1G4D1)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M378B5673EH1-CH9)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9-36
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M391B5273DH0-CH9)

3430 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• поддержка ECC: да

Micron 8 ГБ DDR3 1866 МГц CL13 (MT18JDF1G72PZ-1G9E1)

3436 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1866 МГц
• тайминги: 13-13-13
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC14900
• низкопрофильная (Low Profile): да
• поддержка ECC: да

Micron 4 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (MT36JSZF51272PZ-1G4G1)

3449 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да

ASint 1 ГБ DDR3 1333 МГц (SSY3128M8-EDJEF)

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• пропускная способность: PC10600

Micron 8 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (MT36HTS1G72FY-667A1D4)

3459 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• пропускная способность: PC5300
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 512 МБ DDR2 400 МГц CL3 (MT9HTF6472Y-40EB2)

3466 место из 5383

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.7 В
• пропускная способность: PC3200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 1 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (MT18HTF12872FDY-667B5E3)

3467 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• пропускная способность: PC5300
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 16GB 2666MHz CL19 (868846-001)

3492 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Nanya 2GB 1333MHz (NT2GC64B88G0NF-CG)

3518 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Micron 32GB 2400MHz CL17 (MTA36ASF4G72PZ-2G3)

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Micron 16GB 2133MHz CL15 (MTA36ASF2G72PZ-2G1B1)

3535 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 16GB 2133MHz CL15 (MTA36ASF2G72PZ-2G1A2)

3539 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 512MB 400MHz CL3 (M378T6553BZ0-KCC)

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC3200

Samsung 1GB 1333MHz CL9 (M393B2873FH0-YH9)

3562 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 533MHz CL4 (M391T2953CZ3-CD5)

3563 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 533 МГц
• тайминги: 4
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC4200
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 1333MHz CL9 (M393B2873FH0-CH9)

3564 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 800MHz CL6 (M378T2953GZ3-CF7)

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• тайминги: 6-6-6-18
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC6400

Samsung 1GB 533MHz (M378T2953EZ3-CD5)

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 533 МГц
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC4200

Samsung 1GB 667MHz (M391T2953EZ3-CE6)

3569 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC5300
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 400MHz CL3 (M393T5750CZ3-CCC)

3577 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC3200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M393B5773CH0-YH9)

3580 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M391B5773CH0-YH9)

3583 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M391B5773CH0-CH9)

3584 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• поддержка ECC: да

Samsung 512MB 400MHz CL3 (M368L6423FTN-CCC)

3586 место из 5383

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 2.5 В
• пропускная способность: PC3200

Samsung 8GB 1333MHz CL9 (M393B1K70BH1-CH9)

3597 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да