Отзывы на Модули оперативной памяти. Рейтинг лучших моделей 2025 года .

HyperX Fury (HX426C16FB3K2/16)

• количество модулей в комплекте: 2 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 16-18-18-29
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: игровая

KingSpec KS3200D4N12004G

• тип: DDR4
• тактовая частота: 3200 МГц
• Форм-фактор: SODIMM

Qumo QUM4S-8G3200P22

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: Unregistered

DELL 32GB RDIMM Dual Rank 3200MHz (370-AFVJ)

• тактовая частота: 3200 МГц
• Форм-фактор: RDIMM

Foxline 2 ГБ DDR3L SODIMM (FL1600D3S11SL-2G)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR3L SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: Unregistered

Hynix HMCG66MEBSA092N

• тип: DDR5
• объем одного модуля: 8 ГБ
• объем одного модуля (точно): 8 ГБ
• тактовая частота: 4800 МГц
• форм-фактор: SODIMM
• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• CL: 40
• особенности: низкопрофильная (Low Profile)

Apacer SO-DIMM 32GB DDR5-4800 (AS32GHB48CTBBGH/FS.32G2A.PTH)

• тип: DDR5
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тактовая частота: 4800 МГц
• форм-фактор: SODIMM
• CL: 40

Hynix HYNIX DDR2 (800MHz)

• тип: DDR2
• тактовая частота: 800 МГц
• Форм-фактор: DIMM

HP 16 ГБ DDR3L DIMM CL9 (627812-B21)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: серверная

Foxline 4 ГБ DDR3 SODIMM (FL1600D3S11S1-4G)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: Unregistered

Kingston ValueRam SODIMM DDR5 8GB (KVR48S40BS6-8)

• тип: DDR5
• объем одного модуля: 8 ГБ
• объем одного модуля (точно): 8 ГБ
• тактовая частота: 4800 МГц
• форм-фактор: SODIMM
• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• CL: 40

G.SKILL Ripjaws V (F4-4000C18D-32GVK)

• количество модулей в комплекте: 2 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 4000 МГц
• тайминги: 18-22-22-42
• напряжение питания: 1.4 В
• пропускная способность: PC32000
• особенности: игровая

HyperX Fury (HX426C16FB3/8)

1445 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 16-18-18-32
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC27700
• особенности: радиатор

Silicon Power XPOWER Turbine RGB (SP016GXLZU320BSB)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 16
• напряжение питания: 1.35 В
• особенности: радиатор
• XMP

ExeGate 16 ГБ DDR4 DIMM CL19 (EX287014RUS)

1430 место из 4312

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: Unregistered

ExeGate Value 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (EX287013RUS)

1479 место из 4121

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: Unregistered

Team Group T-FORCE XTREEM ARGB (TF10D432G3600HC18JDC01)

1309 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 2 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3600 МГц
• тайминги: 18-22-22-42
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC28800
• особенности: радиатор

Samsung DDR DIMM CL2.5 (M368L3223ETN-CB3)

1321 место из 4217

• объем одного модуля: 0.25 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 333 МГц
• тайминги: 2.5
• напряжение питания: 2.5 В
• пропускная способность: PC2700
• особенности: Unregistered

Samsung 8 ГБ DDR3 RDIMM (M393B1K70CHD-CF8)

1326 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1066 МГц
• тайминги: 7
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC8500
• особенности: радиатор

Samsung Оперативная память (M470L3224FT0-CB0)

1333 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 0.25 ГБ
• тип: DDR SODIMM 200-pin
• тактовая частота: 266 МГц
• тайминги: 2.5
• пропускная способность: PC2100
• особенности: Unregistered

Samsung DDR3L DIMM M391B1G73BH0-YK0

1339 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• пропускная способность: PC12800

Samsung DDR DIMM M368L6423ETM-CCC

1340 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 0.5 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• пропускная способность: PC3200

Samsung DDR2 DIMM CL6 (M378T5663FB3-CF7)

1341 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• пропускная способность: PC6400

Samsung DDR3 UDIMM (M391B5273DH0-YH9)

1342 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• пропускная способность: PC10600

Samsung DDR2 DIMM (M378T6464EHS-CF7)

1343 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 0.5 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• пропускная способность: PC6400

Samsung M368L6423DTL-CB0

1346 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 266 МГц
• пропускная способность: PC2100

Samsung DDR3 DIMM CL11 (M391B1G73QH0-YK0)

1348 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• пропускная способность: PC12800

Samsung DDR2 UDIMM (M391T5663AZ3-CE6)

1353 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• пропускная способность: PC5300

Samsung M393T5660QZA-CE6

1357 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• пропускная способность: PC5300

Samsung Оперативная память (M368L3223ETM-CCC)

1373 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 0.25 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• пропускная способность: PC3200

Samsung 32 ГБ DDR3 RDIMM (M386B4G70DM0-YK0)

1380 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR3 LRDIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: радиатор

AMD R5 Entertainment Series (R5516G4800U1S-U)

1385 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR5 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 4800 МГц
• тайминги: 40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC38400

AMD R5 Entertainment Series (R558G4800U1S-U)

1386 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR5 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 4800 МГц
• тайминги: 40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC38400

AMD R5 Entertainment Series (R558G5200U1S-U)

1387 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR5 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 5200 МГц
• тайминги: 40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC41600

Samsung DDR4 DIMM (M371A2K43CB1-CRC)

1125 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

HPE 64 ГБ DDR4 LRDIMM (815101-B21)

1146 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 LRDIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC
• Registered

Kingston ValueRAM 16 ГБ DDR4 DIMM (KVR21R15D4/16)

1147 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15-15-15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC

Infortrend DDR4 DIMM CL22

1169 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Samsung 2 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5673FH0-CH9)

1170 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Kingston ValueRAM (KVR13S9S8/4)

1172 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9-36
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: Unregistered

Apacer NOX DDR4 DIMM CL16 (AH4U08G32C28YMBAA-1)

1177 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 16-20-20-38
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: радиатор

Samsung DDR3 DIMM CL11 (M378B1G73DH0-CK0)

1194 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung H-ONE DDR4 DIMM CL22 (M393A2K40EB3-CWE)

1210 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC

Samsung DDR5 RDIMM (M321R2GA3BB6-CQK)

1212 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR5 DIMM
• тактовая частота: 4800 МГц
• тайминги: 40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC38400
• особенности: Registered

Samsung DDR3L LRDIMM (M386B4G70BM0-YH9)

1220 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung DDR3 DIMM CL7

1224 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1066 МГц
• тайминги: 7
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC8500
• особенности: ECC

Kingston ValueRAM (KVR16LN11/4)

1229 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: Unregistered

Silicon Power 4 ГБ DDR4 SODIMM (SP004GBSFU240X02)

1246 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200