Отзывы на Модули оперативной памяти Samsung . Рейтинг лучших моделей 2026 года Samsung.

Samsung M393A8G40BB4-CWEBY ,1x 64 ГБ, DDR4-3200 , RDIMM PC4-25600R, Dual Rank x4

2786 место из 4217

• тип: DDR4
• Форм-фактор: DIMM

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M393B5670EH1-CH9)

3360 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M378B5673GB0-CH9)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• пропускная способность: PC10600

Samsung 16GB 2400MHz CL17 (M378A2K43BB1-CRC)

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Samsung 512MB 400MHz CL3 (M378T6553BZ0-KCC)

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC3200

Samsung 1GB 1333MHz CL9 (M393B2873FH0-YH9)

3562 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 533MHz CL4 (M391T2953CZ3-CD5)

3563 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 533 МГц
• тайминги: 4
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC4200
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 1333MHz CL9 (M393B2873FH0-CH9)

3564 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 800MHz CL6 (M378T2953GZ3-CF7)

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• тайминги: 6-6-6-18
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC6400

Samsung 1GB 533MHz (M378T2953EZ3-CD5)

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 533 МГц
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC4200

Samsung 1GB 667MHz (M391T2953EZ3-CE6)

3569 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC5300
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 400MHz CL3 (M393T5750CZ3-CCC)

3577 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC3200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M393B5773CH0-YH9)

3580 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M391B5773CH0-YH9)

3583 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M391B5773CH0-CH9)

3584 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• поддержка ECC: да

Samsung 512MB 400MHz CL3 (M368L6423FTN-CCC)

3586 место из 5383

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 2.5 В
• пропускная способность: PC3200

Samsung 8GB 1333MHz CL9 (M393B1K70BH1-CH9)

3597 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да

Samsung 32GB 1600MHz CL11 (M393B4G70EMB-CK0)

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 333MHz CL2.5 (M312L2923CZ3-CB3)

3643 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 333 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 2.5

Samsung 1GB 400MHz CL3 (M312L2920DZ3-CCC)

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 400 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 3

Samsung 1GB 266MHz CL2.5 (M312L2828DT0-CB0)

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 266 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 2.5

Samsung 262.144MB 266MHz CL2.5 (M368L3223DTL-CB0)

3684 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 262.14 МБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 266 МГц
• CAS Latency (CL): 2.5

Samsung 1GB 400MHz CL3 (M368L2923GLN-CCC)

3741 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 400 МГц
• CAS Latency (CL): 3

Samsung 16GB 2133MHz CL15 (M393A2K40BB0-CPB)

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 16 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2133 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 15

Samsung 2GB 1333MHz

3888 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC

Samsung 2GB 1333MHz

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC

Samsung 4GB 1333MHz CL9 (M393B5273CH0-CH9)

3900 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 9

Samsung 32GB 2400MHz CL17

3908 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2400 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 17

Samsung 1GB 667MHz CL5 (M378T2953CZ3-CE6)

3969 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 667 МГц
• CAS Latency (CL): 5

Samsung 4GB 667MHz CL5 (M395T5160CZ4-CE66)

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 8 ГБ
• форм-фактор FB-DIMM
• 240-контактный
• частота 667 МГц
• поддержка ECC
• радиатор
• CAS Latency (CL): 5

Samsung 512MB 400MHz (M368L6523DUS-CCC)

4005 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 524.29 МБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 400 МГц

Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-YK0

3969 место из 4166

• DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin
• 1x8 Гб
• ECC
• 1.35 В
• CL 11

Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M391B1G73QH0-CK0

1780 место из 4465

• DDR3L 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 1x8 Гб
• ECC
• 1.35 В
• CL 11

Samsung 16 ГБ DDR3L 1333 МГц DIMM CL9 M393B2G70QH0-YH9

3973 место из 4166

• DDR3L 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin
• 1x16 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.35 В
• CL 9

Samsung 16 ГБ DDR3 1066 МГц DIMM CL7 M393B2K70CM0-CF8

4026 место из 4166

• DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240 pin
• 1x16 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.5 В
• CL 7

Samsung 2 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5773DH0-CK0

4056 место из 4166

• DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin
• 1x2 Гб
• CL 11

Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 314-900-020

4078 место из 4166

• DDR3 1333 DIMM 240 pin
• 1x2 Гб
• ECC
• 1.5 В
• CL 9

Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц DIMM CL7 m393b5170eh1-cf8

4079 место из 4166

• DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240 pin
• 1x4 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.5 В
• CL 7

Samsung 2 ГБ DDR2 667 МГц DIMM CL5 M391T5663DZ3-CE6

4084 место из 4166

• DDR2 667 DIMM 240 pin
• 1x2 Гб
• ECC
• 1.8 В
• CL 5

Samsung 1 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M378B2873FH0-CH9

4116 место из 4166

• DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin
• 1x1 Гб
• 1.5 В
• CL 9

Samsung 2 ГБ DDR2 667 МГц FB-DIMM CL5 M395T5663QZ4-CE66

4117 место из 4166

• DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240 pin
• 1x2 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.8 В
• CL 5