Отзывы на Модули оперативной памяти Samsung . Рейтинг лучших моделей 2025 года Samsung.
-
8.5/10 баллов
Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 M378T5663EH3-CF7
676 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 2 ГБ
- тип: DDR2 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 800 МГц
- тайминги: 6-6-6
- напряжение питания: 1.8 В
- пропускная способность: PC6400
-
8.4/10 баллов
Samsung DDR3L 8 ГБ (12800S)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тактовая частота: 1600 МГц
- тип: DDR3L SODIMM 204-pin
- тайминги: 10-10-10-11
- напряжение питания: 1.3 В
- пропускная способность: PC12800
- особенности: игровая
-
8.4/10 баллов
Samsung H-ONE (M378A4G43AB2-CWE)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 32 ГБ
- тип: DDR4 DIMM 288-pin
- тактовая частота: 3200 МГц
- тайминги: 22-22-22-45
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC25600
- особенности: игровая
-
8.4/10 баллов
Samsung 8 ГБ DDR3 DIMM (M378B1G73DB0-CK0)
1421 место из 4305
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- тайминги: 11-11-11-35
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC12800
-
8.4/10 баллов
Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM M471A2K43DB1-CWE
- высокая совместимость
- двухранговая архитектура
- стабильность 3200 МГц
- чипы Samsung
- эффективное охлаждение
- риск восстановленных чипов
- проблемы с упаковкой
- ограниченная гарантия
- высокая цена
- конфликты с ASUS TUF
440 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 16 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 3200 МГц
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC25600
- Купил со скидкой, не пожалел. Работает шустро и без нареканий. Частота подстроилась под вторую плашку, основную. По таймингам все подошло.
- 435 отзывов
средняя цена 3645 р. *
-
8.4/10 баллов
Samsung 4Gb PC3L (DDR3L) 1600 Mhz M471B5273CH0-YK0
2697 место из 5383
Характеристики:- тип: DDR3L
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 1600 МГц
- Форм-фактор: SODIMM
- количество модулей в комплекте: 1
- CL: 11
-
-
8.3/10 баллов
Samsung DDR3 8GB (1600МГц)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 4 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тактовая частота: 1600 МГц
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC12800
- особенности: игровая
средняя цена 4800 р. *
-
8.3/10 баллов
Samsung DIMM DDR3 8ГБ (M378B1G73DB0-CK0)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тактовая частота: 1600 МГц
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- тайминги: 11-11-11-28
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC12800
-
8.3/10 баллов
Samsung 4 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5273CH0-CH9)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 1333 МГц
- тип: DDR3 SODIMM 204-pin
- тайминги: 9-9-9-36
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC10600
- особенности: Unregistered
-
8.3/10 баллов
Samsung 16 ГБ DDR4 SODIMM (M471A2K43CB1-CRC)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 16 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 2400 МГц
- тайминги: 17-17-17-32
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC19200
- особенности: Unregistered
-
8.3/10 баллов
Samsung Basic DDR4 SODIMM (M471A1K43DB0-CRC)
1389 место из 4217
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 2400 МГц
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC19200
-
8.3/10 баллов
Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7
2195 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 2 ГБ
- тип: DDR2 SODIMM 200-pin
- тактовая частота: 800 МГц
- тайминги: 6
- напряжение питания: 1.8 В
- пропускная способность: PC6400
-
8.3/10 баллов
Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 M471A1K43BB0-CPB
2090 место из 4119
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 2133 МГц
- тайминги: 15
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC17000
-
8.3/10 баллов
Samsung OEM (M323R2GA3BB0-CQK)
458 место из 4121
Характеристики:- тип: DDR5
- объем одного модуля: 16 ГБ
- тактовая частота: 4800 МГц
- Форм-фактор: DIMM
- количество модулей в комплекте: 1
- CL: 40
-
8.2/10 баллов
Samsung 16 ГБ DDR3 RDIMM (M393B2K70DM0-CF8)
1420 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 16 ГБ
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 1066 МГц
- тайминги: 7-7-7
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC8500
- особенности: радиатор
-
8.1/10 баллов
Samsung DDR4 DIMM CL22 (M391A4G43BB1-CWE)
1290 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 32 ГБ
- тип: DDR4 DIMM 288-pin
- тактовая частота: 3200 МГц
- тайминги: 22-22-22-46
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC25600
- особенности: ECC
-
8.1/10 баллов
Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5173EB0-YK0
2196 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тип: DDR3L SODIMM 204-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- тайминги: 11-11-11-35
- напряжение питания: 1.35 В
- пропускная способность: PC12800
-
8/10 баллов
Samsung M470T5267AZ3-CF7
Характеристики:- Тип памяти: DDR2
- Форм-фактор: SODIMM
- Количество контактов: 200
- CL: 6
- Напряжение питания: 1.8 В
- Пропускная способность: 6400
-
8/10 баллов
Samsung Basic 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73DB0-CK0
2088 место из 4119
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- тайминги: 11-11-11-35
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC12800
-
8/10 баллов
Samsung 1GB 266MHz CL2.5 (M312L2828ET0-CB0)
396 место из 5383
Характеристики:- 1 модуль памяти DDR
- объем модуля 1 ГБ
- форм-фактор DIMM
- 184-контактный
- частота 266 МГц
- поддержка ECC
- CAS Latency (CL): 2.5
средняя цена 3230 р. *
-
7.9/10 баллов
Samsung SODIMM DDR4 (PC4-21300)
Характеристики:- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: SODIMM
- Количество контактов: 260
- CL: 19
- tRCD: 19
- tRP: 19
- tRAS: 43
- Напряжение питания: 1.2 В
-
7.9/10 баллов
Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM M378A2G43AB3-CWE
1908 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 16 ГБ
- тип: DDR4 DIMM 288-pin
- тактовая частота: 3200 МГц
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC25600
-
7.8/10 баллов
Samsung M471A1K43EB1-CWE [8ГБ 3200МГц SO-DIMM]
Характеристики:- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: SODIMM
- Количество контактов: 260
- CL: 22
- tRCD: 20
- tRP: 20
- tRAS: 20
- Напряжение питания: 1.2 В
-
7.8/10 баллов
Samsung 1 ГБ DDR SODIMM (M470L2923DV0-CB3)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 1 ГБ
- тактовая частота: 333 МГц
- тип: DDR SODIMM 200-pin
- тайминги: 3-3-3-7
- напряжение питания: 1.8 В
- пропускная способность: PC2700
- особенности: Unregistered
средняя цена 1136 р. *
-
7.8/10 баллов
Samsung 2 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5773CHS-CH9)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 2 ГБ
- тактовая частота: 1333 МГц
- тип: DDR3 SODIMM 204-pin
- тайминги: 9-9-9-36
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC10600
- особенности: Unregistered
средняя цена 890 р. *
-
7.8/10 баллов
Samsung Basic (8GB DDR3 1600MHz 1.5V DIMM)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тактовая частота: 1600 МГц
- тип: DDR3 DIMM 220-pin
- тайминги: 11-11-11-35
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC12800
- особенности: Unregistered
-
7.8/10 баллов
Samsung 2Gb PC3-10600S DDR3 SO-DIMM
Характеристики:- тип: DDR3
- объем одного модуля: 2 ГБ
- объем одного модуля (точно): 2 ГБ
- тактовая частота: 1333 МГц
- форм-фактор: SODIMM
- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- CL: 9
средняя цена 890 р. *
-
7.8/10 баллов
Samsung Basic (M378A1K43CB2-CTD)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тип: DDR4 DIMM 288-pin
- тактовая частота: 2666 МГц
- тайминги: 19-19-19-43
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC21300
- особенности: игровая
-
7.8/10 баллов
Samsung DDR5 DIMM CL40 (M323R2GA3BB0-CQKOL)
1337 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 16 ГБ
- тип: DDR5 DIMM 288-pin
- тактовая частота: 4800 МГц
- тайминги: 40
- напряжение питания: 1.1 В
- пропускная способность: PC38400
средняя цена 7024 р. *
-
7.8/10 баллов
Samsung DDR4 4 ГБ 1Rx8 2133 MHz SO-DIMM PC4-2133P-SA0-10
2331 место из 4217
Характеристики:- тип: DDR4
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 2133 МГц
- Форм-фактор: SODIMM
- количество модулей в комплекте: 1
-
7.8/10 баллов
Samsung 2GB 1333MHz PC3-10600 DDR3 DIMM
2584 место из 5383
Характеристики:- тип: DDR3
- объем одного модуля: 2 ГБ
- тактовая частота: 1333 МГц
- Форм-фактор: DIMM
- количество модулей в комплекте: 1
- CL: 9
-
7.7/10 баллов
Samsung Модуль памяти для ноутбука SODIMM DDR4 16GB (M471A2K43CB1-CTD)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 16 ГБ
- тактовая частота: 2666 МГц
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тайминги: 19
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC21300
-
7.7/10 баллов
Samsung Оперативная память 32 ГБ DDR4 DIMM (M393A4K40EB3-CWEBY)
1319 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 32 ГБ
- тип: DDR4 DIMM 288-pin
- тактовая частота: 3200 МГц
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC25600
- особенности: ECC
- буферизованная (Registered)
-
7.6/10 баллов
Samsung Basic (16GB DDR3 1600MHz 1.5V DIMM 2 по 8GB)
Характеристики:- Тип памяти: DDR3
- Форм-фактор: DIMM
- Количество контактов: 220
- CL: 11
- tRCD: 11
- tRP: 11
- tRAS: 35
- Напряжение питания: 1.5 В
-
7.6/10 баллов
Samsung 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43BB1-CRC
1920 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 2400 МГц
- тайминги: 17-17-17
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC19200
средняя цена 3899 р. *
-
7.6/10 баллов
Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273DH0-CK0
2194 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- тайминги: 11-11-11
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC12800
средняя цена 1463 р. *
-
7.6/10 баллов
Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
2227 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 16 ГБ
- тип: DDR3L DIMM 240-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- тайминги: 11-11-11-35
- напряжение питания: 1.35 В
- пропускная способность: PC12800
- особенности: ECC
-
7.5/10 баллов
Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
2197 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- тайминги: 11-11-11
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC12800
средняя цена 850 р. *
-
7.4/10 баллов
Samsung DDR3 1R8 1600 SO-DIMM 4Gb 12800 Мб/с (M471B5173BH0-CK0 )
994 место из 5383
Характеристики:- тип: DDR3
- Форм-фактор: DIMM
средняя цена 1522 р. *
-
7.3/10 баллов
Samsung DDR3 8GB (PC3-12800S)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тактовая частота: 1600 МГц
- тип: DDR3 SODIMM 204-pin
- тайминги: 10-11-11-28
- напряжение питания: 1.6 В
- пропускная способность: PC12800
- особенности: игровая
средняя цена 1212 р. *
-
7.3/10 баллов
Samsung Value (M378A5143DB0-CPB)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 2133 МГц
- тип: DDR4 DIMM 288-pin
- тайминги: 15-15-15-33
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC17000
- особенности: Unregistered
средняя цена 2121 р. *
-
7.3/10 баллов
Samsung DDR4 SODIMM (M471A1G44BB0-CWE)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 8 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 3200 МГц
- тайминги: 22-22-22
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC25600
- особенности: Unregistered
-
7.3/10 баллов
Samsung 4 ГБ DDR4 SODIMM (M471A5143SB1-CRC)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 2400 МГц
- тайминги: 17-17-17
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC19200
- особенности: Unregistered
средняя цена 2300 р. *
-
7.3/10 баллов
Samsung 4 ГБ DDR3 DIMM (M378B5173DB0-CK0)
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- тайминги: 11-11-11-35
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC12800
- особенности: Unregistered
средняя цена 1590 р. *
-
7.3/10 баллов
Samsung 4 ГБ DDR2 DIMM CL6 (M378T5263AZ3-CF7)
1432 место из 4312
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тип: DDR2 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 800 МГц
- тайминги: 6-6-6
- напряжение питания: 1.8 В
- пропускная способность: PC6400
- особенности: Unregistered
-
7.3/10 баллов
Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM M393B5170FH0-CH9
1923 место из 5383
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 1333 МГц
- пропускная способность: PC10600
- особенности: ECC
- буферизованная (Registered)
средняя цена 900 р. *
-
7.3/10 баллов
Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CTD
Характеристики:- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 16 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 2666 МГц
- тайминги: 19-19-19
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC21300
-