Отзывы на Модули оперативной памяти Samsung . Рейтинг лучших моделей 2025 года Samsung.

Samsung 4Gb PC3L (DDR3L) 1600 Mhz M471B5273CH0-YK0

2697 место из 5383

• тип: DDR3L
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тактовая частота: 1600 МГц
• Форм-фактор: SODIMM
• количество модулей в комплекте: 1
• CL: 11

Samsung 4 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5273CH0-CH9)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тактовая частота: 1333 МГц
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тайминги: 9-9-9-36
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: Unregistered

Samsung 8 ГБ DDR3 SODIMM (M471B1G73BH0-CH9)

1206 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9-28
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: Unregistered

Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM M378A2G43AB3-CWE

1908 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600

Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73DB0-YK0

2102 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3L SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5173EB0-YK0

2196 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3L SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11-35
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung Модуль памяти для ноутбука SODIMM DDR4 16GB (M471A2K43CB1-CTD)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тактовая частота: 2666 МГц
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300

Samsung Оперативная память 32 ГБ DDR4 DIMM (M393A4K40EB3-CWEBY)

1319 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Samsung 64 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL21 M393A8G40BB4-CWE

1629 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 21
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWE

1910 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600

Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWED0

Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7

2195 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 SODIMM 200-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• тайминги: 6
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC6400

Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0

2227 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11-35
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung Basic 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73DB0-CK0

2088 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11-35
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung DDR3 1R8 1600 SO-DIMM 4Gb 12800 Мб/с (M471B5173BH0-CK0 )

994 место из 5383

• тип: DDR3
• Форм-фактор: DIMM

Samsung M470T5267AZ3-CF7

• Тип памяти: DDR2
• Форм-фактор: SODIMM
• Количество контактов: 200
• CL: 6
• Напряжение питания: 1.8 В
• Пропускная способность: 6400

Samsung Value (M378A5143DB0-CPB)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тактовая частота: 2133 МГц
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тайминги: 15-15-15-33
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: Unregistered

Samsung DDR4 SODIMM (M471A1G44BB0-CWE)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: Unregistered

Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5173DB0-YK0

2199 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3L SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung 4GB 1600MHz CL11 (M378B5173QH0-CK0)

3551 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung 1 ГБ DDR SODIMM (M470L2923DV0-CB3)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 1 ГБ
• тактовая частота: 333 МГц
• тип: DDR SODIMM 200-pin
• тайминги: 3-3-3-7
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC2700
• особенности: Unregistered

Samsung DDR5 DIMM CL40 (M321R4GA3BB6-CQK)

1553 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR5 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 4800 МГц
• тайминги: 40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC38400
• особенности: Registered

Samsung DDR5 DIMM CL40 (M321R8GA0BB0-CQK)

1127 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR5 DIMM
• тактовая частота: 4800 МГц
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC38400
• особенности: ECC
• Registered

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273DH0-CK0

2194 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung 1 ГБ DDR2 667 МГц DIMM CL5 M378T2863DZS-CE6

1269 место из 4166

• DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin
• 1x1 Гб
• 1.8 В
• CL 5

Samsung DDR5 RDIMM (M321RAGA0B20-CWK)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 128 ГБ
• тактовая частота: 4800 МГц
• тип: DDR5 RDIMM 288-pin
• тайминги: 40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC38400
• особенности: ECC

Samsung 2 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5773CHS-CH9)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тактовая частота: 1333 МГц
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тайминги: 9-9-9-36
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: Unregistered

Samsung 16 ГБ DDR4 SODIMM (M471A2K43CB1-CRC)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17-32
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: Unregistered

Samsung DDR5 DIMM CL40 (M323R2GA3BB0-CQKOL)

1337 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR5 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 4800 МГц
• тайминги: 40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC38400

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0

2197 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung M471A1G43DB0-CPB 2133MHz (PC4-17000) 260-Pin, 1.2V, Retail

2694 место из 5383

• тип: DDR4
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тактовая частота: 2133 МГц
• Форм-фактор: SODIMM
• количество модулей в комплекте: 1

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11

1194 место из 4166

• DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 1x4 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.5 В
• CL 11

Samsung Оперативная память 32 ГБ DDR4 DIMM CL17 (M393A4K40CB1-CRC)

1442 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: ECC

Samsung 1GB 266MHz CL2.5 (M312L2828ET0-CB0)

396 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 266 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 2.5

Samsung 4 ГБ DDR4 SODIMM (M471A5143SB1-CRC)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: Unregistered

Samsung 4 ГБ DDR3 DIMM (M378B5173DB0-CK0)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11-35
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: Unregistered

Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70QH0-YK0

2201 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung 16 ГБ DDR3 1866 МГц DIMM CL13 M393B2G70QH0-CMA

3946 место из 4166

• DDR3 1866 DIMM 240 pin
• 1x16 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.5 В
• CL 13

Samsung 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A4K40CB2-CVF

2223 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Samsung DDR4 SODIMM CL15

1221 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15-15-15-33
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000

Samsung 16 ГБ DDR3 RDIMM (M392B2G70BM0-YH9)

1225 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC

Samsung DDR5 DIMM 32Gb 5600Mhz (M323R4GA3DB0-CWM)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тактовая частота: 5600 МГц
• тип: DDR5 DIMM 288-pin
• тайминги: 40-40-40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC44800

Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M393B1G70BH0-YK0

1892 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B1G70QH0-YK0

2221 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5173EB0-YK0

2224 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung 4GB 1600MHz CL11 (M378B5173CB0-CK0)

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1600 МГц
• CAS Latency (CL): 11

Samsung 8 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M393B1K70DH0-YH9

2209 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC

Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40DB3-CWE

1957 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC