Отзывы на Модули оперативной памяти Samsung . Рейтинг лучших моделей 2026 года Samsung.

Samsung 1 ГБ DDR2 FB-DIMM (M395T2953EZ4-CE66)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 1 ГБ
• тип: DDR2 FB-DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5
• пропускная способность: PC5300
• особенности: ECC
• Registered

Samsung 32 ГБ DDR3 DIMM CL11 (M386B4G70DM0-CMA)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1866 МГц
• тайминги: 13-13-13
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC14900
• особенности: серверная

Samsung 4 ГБ DDR3 DIMM CL9 (M378B5273DH0-CH9)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: Unregistered

Samsung 8 ГБ DDR3 RDIMM (M393B1K70BH1-CF8)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1066 МГц
• тайминги: 7-7-7
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC8500
• особенности: ECC

Samsung 2 ГБ DDR3 DIMM CL9 (M378B5773CH0-CH9)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: Unregistered

Samsung Оперативная память (M378T5663QZ3-CF7)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• тайминги: 6
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC6400
• особенности: Unregistered

Samsung 128 ГБ DDR4 RDIMM (CL22)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 128 ГБ
• тип: DDR4 RDIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: серверная

Samsung DDR DIMM CL2.5 (M368L3223ETN-CB3)

1321 место из 4217

• объем одного модуля: 0.25 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 333 МГц
• тайминги: 2.5
• напряжение питания: 2.5 В
• пропускная способность: PC2700
• особенности: Unregistered

Samsung 8 ГБ DDR3 RDIMM (M393B1K70CHD-CF8)

1326 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1066 МГц
• тайминги: 7
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC8500
• особенности: радиатор

Samsung Оперативная память (M470L3224FT0-CB0)

1333 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 0.25 ГБ
• тип: DDR SODIMM 200-pin
• тактовая частота: 266 МГц
• тайминги: 2.5
• пропускная способность: PC2100
• особенности: Unregistered

Samsung DDR3L DIMM M391B1G73BH0-YK0

1339 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• пропускная способность: PC12800

Samsung DDR DIMM M368L6423ETM-CCC

1340 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 0.5 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• пропускная способность: PC3200

Samsung DDR2 DIMM CL6 (M378T5663FB3-CF7)

1341 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• пропускная способность: PC6400

Samsung DDR3 UDIMM (M391B5273DH0-YH9)

1342 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• пропускная способность: PC10600

Samsung DDR2 DIMM (M378T6464EHS-CF7)

1343 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 0.5 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• пропускная способность: PC6400

Samsung M368L6423DTL-CB0

1346 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 266 МГц
• пропускная способность: PC2100

Samsung DDR3 DIMM CL11 (M391B1G73QH0-YK0)

1348 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• пропускная способность: PC12800

Samsung DDR2 UDIMM (M391T5663AZ3-CE6)

1353 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• пропускная способность: PC5300

Samsung M393T5660QZA-CE6

1357 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• пропускная способность: PC5300

Samsung Оперативная память (M368L3223ETM-CCC)

1373 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 0.25 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• пропускная способность: PC3200

Samsung 32 ГБ DDR3 RDIMM (M386B4G70DM0-YK0)

1380 место из 4217

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR3 LRDIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: радиатор

Samsung 2 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5673FH0-CH9)

1170 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung DDR3 DIMM CL11 (M378B1G73DH0-CK0)

1194 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung H-ONE DDR4 DIMM CL22 (M393A2K40EB3-CWE)

1210 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC

Samsung DDR5 RDIMM (M321R2GA3BB6-CQK)

1212 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR5 DIMM
• тактовая частота: 4800 МГц
• тайминги: 40
• напряжение питания: 1.1 В
• пропускная способность: PC38400
• особенности: Registered

Samsung DDR3L LRDIMM (M386B4G70BM0-YH9)

1220 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung DDR3 DIMM CL7

1224 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1066 МГц
• тайминги: 7
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC8500
• особенности: ECC

Samsung 16 ГБ DDR4 DIMM CL22

1442 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC

Samsung 8 ГБ DDR3 DIMM CL11 M393B1K70QB0-CK0

1485 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A8G40AB2-CVF

1881 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Samsung 16 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM

1907 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Samsung 8 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M393B1K70DH0-CH9

1944 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC

Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A1K43DB2-CWE

1960 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC

Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 M386A8K40DM2-CVF

2010 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 LRDIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M393B1G70BH0-CK0

2042 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung 64 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A8G40MB2-CTD

2152 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19-32
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• особенности: ECC

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273TB0-CK0

2193 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11-28
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-YK0

2198 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M393A2K40BB1-CRC

2204 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: ECC

Samsung 32 ГБ DDR3L 1333 МГц DIMM CL7 M393B4G70BM0-YF8

2207 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 7-7-7
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: радиатор

Samsung 8 ГБ DDR3L 1333 МГц DIMM CL9 M393B1K70CH0-YH9

2208 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: ECC

Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M393A2G40DB1-CRC

2222 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: ECC

Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 M386A8K40CM2-CVF

2226 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 LRDIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21-32
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A8G40MB2-CVF

2228 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Samsung 32 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM CL15 M393A4K40BB0-CPB

2337 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC

Samsung Basic 32 ГБ DDR4 2133 МГц LRDIMM CL15 M386A4G40DM0-CPB

2346 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 LRDIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15-15-15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC

Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70EB0-YK0

2371 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц CL22 (M391A2G43BB2-CWE)

2640 место из 4121

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)