Отзывы на Модули оперативной памяти. Рейтинг лучших моделей 2025 года .

HyperX Predator 128GB (32GBx4) 3200MHz CL16 (HX432C16PB3K4/128)

• 4 модуля памяти DDR4
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 3200 МГц
• радиатор
• CAS Latency (CL): 16

HyperX Fury RGB 64GB (32GBx2) 2666MHz CL16 (HX426C16FB3AK2/64)

• 2 модуля памяти DDR4
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2666 МГц
• радиатор
• CAS Latency (CL): 16

Hynix 1GB 800MHz CL6 (HYMP512U64CP8-S6)

3883 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 800 МГц
• CAS Latency (CL): 6

Samsung 2GB 1333MHz

3888 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC

Apacer 8GB 1600MHz CL11 (78.C1GEY.4010C)

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 8 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1600 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 11

Samsung 2GB 1333MHz

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC

Samsung 4GB 1333MHz CL9 (M393B5273CH0-CH9)

3900 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 9

Micron 2GB 1333MHz

3904 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC

Samsung 32GB 2400MHz CL17

3908 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2400 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 17

Kingston 2GB 1333MHz (ACR256X64D3S1333C9)

3911 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор SODIMM
• 204-контактный
• частота 1333 МГц

HyperX Fury RGB 32GB 2666MHz CL16 (HX426C16FB3A/32)

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2666 МГц
• радиатор
• CAS Latency (CL): 16

HUAWEI 16GB 2400MHz CL17 (06200213)

3937 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 16 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2400 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 17

Hynix 4GB 1600MHz CL11 (HMT451S6MFR8C-PB)

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор SODIMM
• 204-контактный
• частота 1600 МГц
• CAS Latency (CL): 11

Nanya 4GB 1600MHz CL11 (NT4GC64B8HG0NS-DI)

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор SODIMM
• 204-контактный
• частота 1600 МГц
• CAS Latency (CL): 11

Samsung 1GB 667MHz CL5 (M378T2953CZ3-CE6)

3969 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 667 МГц
• CAS Latency (CL): 5

Hynix 2GB 1333MHz CL9 (HMT325U7BFR8C-H9)

3978 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 9

Nanya 8GB 1333MHz (NT8GC72C8PB0NL-CG)

3996 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 8 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC

Samsung 4GB 667MHz CL5 (M395T5160CZ4-CE66)

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 8 ГБ
• форм-фактор FB-DIMM
• 240-контактный
• частота 667 МГц
• поддержка ECC
• радиатор
• CAS Latency (CL): 5

Samsung 512MB 400MHz (M368L6523DUS-CCC)

4005 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 524.29 МБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 400 МГц

Hynix 1GB 800MHz CL5 (HYMP112U64CP8-S5)

4006 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 800 МГц
• CAS Latency (CL): 5

neoforza 4GB 2666MHz CL19 (NMUD440D82-2666EA10)

4011 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2666 МГц
• CAS Latency (CL): 19

Samsung 16GB 2933MHz (M393A2K40DB2-CVFBY)

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 16 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2933 МГц
• поддержка ECC

Kingston ValueRAM 16GB 3200MHz CL22 (KSM32RS4/16MEI)

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 16 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 3200 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 22

Thermaltake TOUGHRAM 16GB (8GBx2) 3200MHz CL16 (R017D408GX2-3200C16A)

• 2 модуля памяти DDR4
• объем модуля 8 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 3200 МГц
• радиатор
• CAS Latency (CL): 16

Foxline 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11

233 место из 6024

• DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin
• 1x4 Гб
• 1.35 В
• CL 11

Micron 4 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL16

241 место из 6024

• DDR4 2400 (PC 19200) DIMM 288 pin
• 1x4 Гб
• 1.2 В
• CL 16

Silicon Power 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11

4166 место из 5383

• DDR3L 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 1x4 Гб
• 1.35 В
• CL 11

Silicon Power 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11

726 место из 6024

• DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin
• 1x8 Гб
• 1.35 В
• CL 11

Kingston 8 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM

918 место из 6024

• DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin
• 1x8 Гб
• ECC

Kingston 4 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17

1069 место из 6024

• DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin
• 1x4 Гб
• 1.2 В
• CL 17

HP 16 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM CL15

1274 место из 6024

• DDR4 2133 (PC 17000) DIMM 288 pin
• 1x16 Гб
• ECC
• 1.2 В
• CL 15

HPE 805351-B21

1312 место из 6024

• DDR4 2400 (PC 19200) DIMM 288 pin
• 1x32 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.2 В
• CL 17

Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (M386A8K40BM1-CRC)

1634 место из 6240

• DDR4 2400 (PC 19200) LRDIMM 288 pin
• 1x64 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.2 В
• CL 17

GeIL 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11

• DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin
• 1x4 Гб
• 1.5 В
• CL 11

Samsung 16 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M393A2G40DB0-CPB)

3950 место из 4166

• DDR4 2133 (PC 17000) DIMM 288 pin
• 1x16 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.2 В
• CL 15

Lenovo 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11

1354 место из 4465

• DDR3L 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 1x8 Гб
• низкопрофильная
• ECC
• 1.35 В
• CL 11

Lenovo 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11

3957 место из 4166

• DDR3L 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 1x4 Гб
• низкопрофильная
• ECC
• 1.35 В
• CL 11

Kingston 2 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 KVR13N9S8/2

1885 место из 4465

• DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin
• 1x2 Гб
• 1.5 В
• CL 9

GoodRAM 16 ГБ (8 ГБ x 2 шт.) DDR3 1600 МГц DIMM CL10 GY1600D364L10/16GDC

1894 место из 4465

• DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 2x8 Гб
• CL 10

GoodRAM 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL10 GY1600D364L10/8G

1895 место из 4465

• DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 1x8 Гб
• CL 10

Crucial 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 CT4G3ERVLD8160B

1953 место из 4465

• DDR3L 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 1x4 Гб
• буферизованная
• низкопрофильная
• ECC
• 1.35 В
• CL 11

HyperX 8 ГБ (4 ГБ x 2 шт.) DDR3 1600 МГц DIMM CL9 KHX16C9B1BK2/8X

• DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 2x4 Гб
• 1.65 В
• CL 9

HP 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 669320-B21

3978 место из 4166

• DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 1x2 Гб
• ECC
• CL 11

Kingston 8 ГБ DDR3L 1333 МГц SODIMM CL9 KVR13LSE9/8

3979 место из 4166

• DDR3L 1333 SODIMM 204 pin
• 1x8 Гб
• ECC
• 1.35 В
• CL 9

Transcend 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 JM1600KSH-8G

2167 место из 4872

• DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin
• 1x8 Гб
• CL 11

Crucial 4 ГБ DDR3L 1333 МГц DIMM CL9 CT4G3ERSLD81339

2018 место из 4465

• DDR3L 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin
• 1x4 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.35 В
• CL 9

Crucial 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 CT4G3ERSLD8160B

2137 место из 4735

• DDR3L 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin
• 1x4 Гб
• буферизованная
• ECC
• 1.35 В
• CL 11

Kingston 8 ГБ DDR3L 1333 МГц DIMM CL9 KVR13LR9S4L/8

2024 место из 4465

• DDR3L 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin
• 1x8 Гб
• буферизованная
• низкопрофильная
• ECC
• 1.35 В
• CL 9