Отзывы на Модули оперативной памяти. Рейтинг лучших моделей 2025 года .

Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M471A5143DB0-CPB)

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15-15-15-33
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000

ASint 1 ГБ DDR3 1333 МГц (SSY3128M8-EDJEF)

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• пропускная способность: PC10600

Micron 8 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (MT36HTS1G72FY-667A1D4)

3459 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• пропускная способность: PC5300
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 512 МБ DDR2 400 МГц CL3 (MT9HTF6472Y-40EB2)

3466 место из 5383

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.7 В
• пропускная способность: PC3200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 1 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (MT18HTF12872FDY-667B5E3)

3467 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• пропускная способность: PC5300
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

HP 32 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (805353-B21)

3480 место из 5383

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

HPE Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 16GB 2666MHz CL19 (868846-001)

3492 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Nanya 2GB 1333MHz (NT2GC64B88G0NF-CG)

3518 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Micron 32GB 2400MHz CL17 (MTA36ASF4G72PZ-2G3)

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Micron 16GB 2133MHz CL15 (MTA36ASF2G72PZ-2G1B1)

3535 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1600MHz CL11 (M378B5674EB0-YK0)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Samsung 512MB 400MHz CL3 (M378T6553BZ0-KCC)

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC3200

Samsung 1GB 1333MHz CL9 (M393B2873FH0-YH9)

3562 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 533MHz CL4 (M391T2953CZ3-CD5)

3563 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 533 МГц
• тайминги: 4
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC4200
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 1333MHz CL9 (M393B2873FH0-CH9)

3564 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 1GB 800MHz CL6 (M378T2953GZ3-CF7)

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• тайминги: 6-6-6-18
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC6400

Samsung 1GB 533MHz (M378T2953EZ3-CD5)

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 533 МГц
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC4200

Samsung 1GB 667MHz (M391T2953EZ3-CE6)

3569 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC5300
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 400MHz CL3 (M393T5750CZ3-CCC)

3577 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC3200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M393B5773CH0-YH9)

3580 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M378B5773DH0-CH9)

3581 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M391B5773CH0-YH9)

3583 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC10600
• поддержка ECC: да

Samsung 2GB 1333MHz CL9 (M391B5773CH0-CH9)

3584 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• поддержка ECC: да

Samsung 512MB 400MHz CL3 (M368L6423FTN-CCC)

3586 место из 5383

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR DIMM 184-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 2.5 В
• пропускная способность: PC3200

Samsung 8GB 1333MHz CL9 (M393B1K70BH1-CH9)

3597 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да

Samsung 512MB 667MHz CL5 (M378T6464QZ3-CE6)

3599 место из 5383

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC5300

Samsung 32GB 1600MHz CL11 (M393B4G70EMB-CK0)

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 2GB 1333MHz CL9 (MT18JSF25672AZ-1G4F1)

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 9

Apacer 8GB 1066MHz CL7 (78.CAGDT.4220C)

3633 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 8 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1066 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 7

Samsung 1GB 333MHz CL2.5 (M312L2923CZ3-CB3)

3643 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 333 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 2.5

Samsung 1GB 400MHz CL3 (M312L2920DZ3-CCC)

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 400 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 3

Samsung 1GB 266MHz CL2.5 (M312L2828DT0-CB0)

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 266 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 2.5

Micron 32GB 1600MHz CL11 (MT72KSZS4G72LZ-1G6)

3673 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор LRDIMM
• частота 1600 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 11

Samsung 262.144MB 266MHz CL2.5 (M368L3223DTL-CB0)

3684 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 262.14 МБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 266 МГц
• CAS Latency (CL): 2.5

Micron 16GB 1600MHz CL11 (MT36KSF2G72PZ-1G6E1)

3692 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3L
• объем модуля 16 ГБ
• форм-фактор DIMM
• частота 1600 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 11

HPE MNO125-E120100

3718 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 64 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2666 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 19

TakeMS 1GB 800MHz CL5 (TMS1GB264D081-805AV)

3730 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 800 МГц
• CAS Latency (CL): 5

GeIL EVO POTENZA 8GB 3000MHz CL16 (GPR48GB3000C16ASC)

3737 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 8 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 3000 МГц
• радиатор
• CAS Latency (CL): 16

Samsung 1GB 400MHz CL3 (M368L2923GLN-CCC)

3741 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 400 МГц
• CAS Latency (CL): 3

Samsung 16GB 2133MHz CL15 (M393A2K40BB0-CPB)

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 16 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 2133 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 15

Micron 2GB 667MHz (MT16HTF25664AY-667E1)

3755 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 667 МГц

GoodRAM 8GB 1600MHz CL11 (W-MEM1600R3D48GLV)

3765 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 8 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1600 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 11

Nanya 4GB 1066MHz CL7 (NT4GC72B4NA1NL-BE)

3768 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1066 МГц
• поддержка ECC
• радиатор
• CAS Latency (CL): 7

Hynix 1GB 800MHz CL5 (HYMP512U64BP8-S5)

3806 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 800 МГц
• CAS Latency (CL): 5

neoforza 4GB 2400MHz CL17 (NMSO440D82-2400EA10)

• 1 модуль памяти DDR4
• объем модуля 4 ГБ
• форм-фактор SODIMM
• 260-контактный
• частота 2400 МГц
• CAS Latency (CL): 17

Micron 1GB 400MHz CL3

3844 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 400 МГц
• CAS Latency (CL): 3

HyperX Fury RGB 64GB (32GBx2) 3600MHz CL18 (HX436C18FB3AK2/64)

• 2 модуля памяти DDR4
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 3600 МГц
• радиатор
• CAS Latency (CL): 18

HyperX Fury 64GB (32GBx2) 3600MHz CL18 (HX436C18FB3K2/64)

• 2 модуля памяти DDR4
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 288-контактный
• частота 3600 МГц
• радиатор
• CAS Latency (CL): 18