Samsung 8 ГБ DDR3 SODIMM (M471B1G73BH0-CH9) vs HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

Samsung 8 ГБ DDR3 SODIMM (M471B1G73BH0-CH9)
Samsung 8 ГБ DDR3 SODIMM (M471B1G73BH0-CH9)
7.1/10 Хорошо 34 отзыва
Средняя цена в магазинах 4 322
Все цены ↓
HyperX Impact (HX316LS9IB/8)
HyperX Impact (HX316LS9IB/8)
9.3/10 Великолепно выше на 2,2 509 отзывов
Средняя цена в магазинах 4 581
Все цены ↓
Samsung 8 ГБ DDR3 SODIMM (M471B1G73BH0-CH9) 7.1/10
HyperX Impact (HX316LS9IB/8) 9.3/10
Samsung 8 ГБ DDR3 SODIMM (M471B1G73BH0-CH9)
Дешевле на 6%
tRAS: 28 против 34
HyperX Impact (HX316LS9IB/8)
Высокая совместимость — 88%
Тактовая частота: 1 600 МГц против 1 333 МГц

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 8 ГБ DDR3 SODIMM (M471B1G73BH0-CH9) HyperX Impact (HX316LS9IB/8)
Тактовая частота разница 20%
1 333 МГц
1 600 МГц
Напряжение питания разница 11%
1,5 В
1,35 В
tRAS разница 21%
28
34

Сравнение характеристик

  Samsung 8 ГБ DDR3 SODIMM (M471B1G73BH0-CH9) HyperX Impact (HX316LS9IB/8)
Дополнительная информация : Пропускная способность - 10600 МБ/с SO-DIMM (для ноутбука) Оригинальная продукция 100%
Общие характеристики
Объем одного модуля : 8 ГБ 8 ГБ
Характеристики
Тип : DDR3 DDR3L
Форм-фактор : SODIMM SODIMM
Количество модулей в комплекте : 1 шт. 1 шт.
Тактовая частота : 1333 МГц 1600 МГц
Пропускная способность : PC10600 PC12800
CL : 9 9
tRCD : 9 9
tRP : 9 9
tRAS : 28 34
Количество чипов каждого модуля : 16 , односторонняя упаковка 16 , односторонняя упаковка
Напряжение питания : 1.5 В 1.35 В
Количество рангов : 2 2
Количество контактов : 204 204
Упаковка чипов : двусторонняя двусторонняя
Особенности : Unregistered игровая, Unregistered
Совместимость : Intel, AMD Высокая совместимость и отличная производительность.
Тип памяти : DDR3 DDR3L
Частота памяти : 1333 МГц
Линейка : Impact

Где купить дешевле

Samsung 8 ГБ DDR3 SODIMM (M471B1G73BH0-CH9)

Загружаем цены...

HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

Загружаем цены...