Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB) vs HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB)

6.4/10 Неплохо 6 отзывов

Средняя цена в магазинах 4 869 ₽

Все цены ↓

HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

9.3/10 Великолепно выше на 2,9 509 отзывов

Средняя цена в магазинах 4 581 ₽

Все цены ↓

Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB) 6.4/10

HyperX Impact (HX316LS9IB/8) 9.3/10

Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB)

Тактовая частота: 2 133 МГц против 1 600 МГц

HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

Дешевле на 6%

Высокая совместимость — 88%

Объем одного модуля: 8 ГБ против 4 ГБ

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB)

—

HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

⚡ HyperX Impact (HX316LS9IB/8) — низкие тайминги CL9 для реального ускорения старых ноутбуков. ✅ Стоит покупать, если вам важна отзывчивость системы и вы готовы заморочиться с совместимостью. ❌ Лучше избегать, если для вас принципиальна гарантированная работа «из коробки» в любых ноутбуках без танцев с бубном.

Ключевые отличия

Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB) HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

Объем одного модуля разница в 2 раза

4 ГБ

8 ГБ ✓

CL разница 67%

9 ✓

Тактовая частота разница 33%

2 133 МГц ✓

1 600 МГц

Напряжение питания разница 13%

1,2 В

1,35 В

Количество чипов каждого модуля разница в 2 раза

16 ✓

Количество контактов разница 41%

288 ✓

204

tRAS разница 24%

34 ✓

Сравнение характеристик

Показать только различия

	Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB)	HyperX Impact (HX316LS9IB/8)
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ	8 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR4	DDR3L
Тактовая частота :	2133 МГц	1600 МГц
Совместимость :	Samsung	Высокая совместимость и отличная производительность.
Тип памяти :	DDR4	DDR3L
Пропускная способность :	17000 МБ/с	PC12800
Форм-фактор :	DIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Частота памяти :	2133 МГц	—
CL :	15	9
tRCD :	15	9
tRP :	15	9
tRAS :	42	34
Количество чипов каждого модуля :	8 , односторонняя упаковка	16 , односторонняя упаковка
Напряжение питания :	1.2 В	1.35 В
Количество рангов :	есть	2
Количество контактов :	288	204
Упаковка чипов :	односторонняя	двусторонняя
Особенности :	Unregistered	игровая, Unregistered
Линейка :	—	Impact
Дополнительная информация :	—	Оригинальная продукция 100%

Где купить дешевле

Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB)

HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

Все отзывы и обзор Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB)

Все отзывы и обзор HyperX Impact (HX316LS9IB/8)