Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 vs HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

6.4/10 Неплохо 4 отзыва

Средняя цена в магазинах 4 106 ₽

Все цены ↓

HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

9.3/10 Великолепно выше на 2,9 509 отзывов

Средняя цена в магазинах 4 581 ₽

Все цены ↓

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 6.4/10

HyperX Impact (HX316LS9IB/8) 9.3/10

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11

Дешевле на 10%

Количество контактов: 240 против 204

HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

Высокая совместимость — 88%

Объем одного модуля: 8 ГБ против 4 ГБ

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11

—

HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

Ключевые отличия

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HyperX Impact (HX316LS9IB/8)

Объем одного модуля разница в 2 раза

4 ГБ

8 ГБ ✓

CL разница 22%

9 ✓

Напряжение питания разница 11%

1,5 В

1,35 В

Количество контактов разница 18%

240 ✓

204

Показать только различия

	Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11	HyperX Impact (HX316LS9IB/8)
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ	8 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR3	DDR3L
Тактовая частота :	1600 МГц	1600 МГц
Совместимость :	Samsung	Высокая совместимость и отличная производительность.
Тип памяти :	DDR3	DDR3L
Пропускная способность :	12800 МБ/с	PC12800
Форм-фактор :	DIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Частота памяти :	1600 МГц	—
CL :	11	9
tRCD :	11	9
tRP :	11	9
Напряжение питания :	1.5 В	1.35 В
Количество контактов :	240	204
Упаковка чипов :	двусторонняя	двусторонняя
Особенности :	ECC, Registered, Поддержка ECC, Буферизованная (Registered)	игровая, Unregistered
Линейка :	—	Impact
tRAS :	—	34
Количество чипов каждого модуля :	—	16 , односторонняя упаковка
Количество рангов :	—	2
Дополнительная информация :	—	Оригинальная продукция 100%