Отзывы на Модули оперативной памяти Micron . Рейтинг лучших моделей 2025 года Micron.

Micron 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (MT8JTF25664AZ-1G4D1)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Micron 8 ГБ DDR3 1866 МГц CL13 (MT18JDF1G72PZ-1G9E1)

3436 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1866 МГц
• тайминги: 13-13-13
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC14900
• низкопрофильная (Low Profile): да
• поддержка ECC: да

Micron 4 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (MT36JSZF51272PZ-1G4G1)

3449 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да

Micron 8 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (MT36HTS1G72FY-667A1D4)

3459 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• пропускная способность: PC5300
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 512 МБ DDR2 400 МГц CL3 (MT9HTF6472Y-40EB2)

3466 место из 5383

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.7 В
• пропускная способность: PC3200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 1 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (MT18HTF12872FDY-667B5E3)

3467 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• пропускная способность: PC5300
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 32GB 2400MHz CL17 (MTA36ASF4G72PZ-2G3)

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Micron 16GB 2133MHz CL15 (MTA36ASF2G72PZ-2G1B1)

3535 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 16GB 2133MHz CL15 (MTA36ASF2G72PZ-2G1A2)

3539 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 2GB 1333MHz CL9 (MT18JSF25672AZ-1G4F1)

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 9

Micron 32GB 1600MHz CL11 (MT72KSZS4G72LZ-1G6)

3673 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор LRDIMM
• частота 1600 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 11

Micron 16GB 1600MHz CL11 (MT36KSF2G72PZ-1G6E1)

3692 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3L
• объем модуля 16 ГБ
• форм-фактор DIMM
• частота 1600 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 11

Micron 2GB 667MHz (MT16HTF25664AY-667E1)

3755 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR2
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 667 МГц

Micron 1GB 400MHz CL3

3844 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR
• объем модуля 1 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 184-контактный
• частота 400 МГц
• CAS Latency (CL): 3

Micron 2GB 1333MHz

3904 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC