Western Digital WDS100T2XHE vs Samsung 960 ГБ (MZQLB960HAJR)

Western Digital WDS100T2XHE
Western Digital WDS100T2XHE
9.8/10 Великолепно выше на 1,5 196 отзывов
Средняя цена в магазинах 28 745
Все цены ↓
Samsung 960 ГБ (MZQLB960HAJR)
Samsung 960 ГБ (MZQLB960HAJR)
8.3/10 Отлично 12 отзывов
Средняя цена в магазинах 24 460
Все цены ↓
Western Digital WDS100T2XHE 9.8/10
Samsung 960 ГБ (MZQLB960HAJR) 8.3/10
Western Digital WDS100T2XHE
высокая скорость чтения/записи
Скорость записи: 6 300 МБ/с против 1 100 МБ/с
Samsung 960 ГБ (MZQLB960HAJR)
Дешевле на 15%
Макс. скорость интерфейса: 6 500 МБ/с против 16 МБ/с

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Western Digital WDS100T2XHE Samsung 960 ГБ (MZQLB960HAJR)
Скорость записи разница в 5,7 раза
6 300 МБ/с
1 100 МБ/с
Скорость чтения разница в 2,3 раза
7 300 МБ/с
3 200 МБ/с
Макс. скорость интерфейса разница в 406,3 раза
16 МБ/с
6 500 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) разница в 275 раз
11 000 004 IOPS
40 000 IOPS
Потребляемая мощность разница в 34,8 раза
0,33 Вт
11,5 Вт
Суммарное число записываемых байтов (TBW) разница в 2,3 раза
600 ТБ
1 366 ТБ
Макс. рабочая температура разница 21%
85 °C
70 °C
Время наработки на отказ разница 14%
1 750 000 ч
2 000 000 ч

Сравнение характеристик

  Western Digital WDS100T2XHE Samsung 960 ГБ (MZQLB960HAJR)
Дополнительная информация : с радиатором IOPS(R4K) 580K/70K, MTBF 2M, 1 DWPD, OEM, 5 years, ( analog MZQLB960HAJR-00007)
Основные характеристики
Линейка : WD Black SN850 NVMe PM9A3
Тип флэш-памяти : TLC 3D NAND TLC
Контроллер : SanDisk Samsung
Назначение : внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой для сервера
Форм-фактор : M.2 2280 2.5"
Версия : для других стран
Вариант поставки : с радиатором
Емкость : 1 ТБ 960 ГБ
Подключение
Интерфейс : PCI-E, mini PCI-E PCI-E
Cтандарт SSD : M.2 SATA, U.2
Тип разъема M.2 : 2280, M 2280, M
Тип PCI-E : PCI-E 4.0 x4 PCI-E 3.0 x4
Макс. скорость интерфейса : 16  МБ/с 6500  МБ/с
Параметры накопителя
Объем буфера : 1000  МБ
Время наработки на отказ : 1750000  ч 2000000  ч
Ударостойкость при работе : 1500  G 1500  G
Ударостойкость при хранении : 1500  G 1500  G
Скорость чтения : 7300  МБ/с 3200  МБ/с
Скорость записи : 6300  МБ/с 1100  МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) : 11000004  IOPS 40000  IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) : 600  ТБ 1366  ТБ
Дополнительно
Потребляемая мощность : 0.33  Вт 11.5  Вт
Макс. рабочая температура : 85  °C 70  °C
Ширина : 23.4  мм 70  мм
Высота : 8.8  мм 7  мм
Длина : 80  мм 100  мм
Вес : 24  г 22  г
Функции
Поддержка технологий : NVMe, поддержка секторов размером 4 КБ NVMe, поддержка секторов размером 4 КБ

Где купить дешевле

Western Digital WDS100T2XHE

Загружаем цены...

Samsung 960 ГБ (MZQLB960HAJR)

Загружаем цены...