Western Digital WDS100T2XHE vs Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)

Western Digital WDS100T2XHE
Western Digital WDS100T2XHE
9.3/10 Великолепно выше на 0,7 196 отзывов
Средняя цена в магазинах 28 745
Все цены ↓
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
8.6/10 Отлично 1 239 отзывов
Средняя цена в магазинах 24 296
Все цены ↓
Western Digital WDS100T2XHE 9.3/10
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) 8.6/10
Western Digital WDS100T2XHE
высокая скорость чтения/записи
Скорость чтения: 7 300 МБ/с против 560 МБ/с
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Дешевле на 15%
Макс. скорость интерфейса: 560 МБ/с против 16 МБ/с

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Western Digital WDS100T2XHE Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Скорость чтения разница в 13 раз
7 300 МБ/с
560 МБ/с
Скорость записи разница в 11,9 раза
6 300 МБ/с
530 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) разница в 125 раз
11 000 004 IOPS
88 000 IOPS
Макс. скорость интерфейса разница в 35 раз
16 МБ/с
560 МБ/с
Время наработки на отказ разница в 19,9 раза
1 750 000 ч
88 000 ч
Потребляемая мощность разница в 6,7 раза
0,33 Вт
2,2 Вт
Суммарное число записываемых байтов (TBW) разница в 4 раза
600 ТБ
150 ТБ
Объем буфера разница 95%
1 000 МБ
512 МБ
Макс. рабочая температура разница 21%
85 °C
70 °C

Сравнение характеристик

  Western Digital WDS100T2XHE Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Дополнительная информация : с радиатором внутренний SSD диск - 1 шт
Основные характеристики
Линейка : WD Black SN850 NVMe 870 EVO
Тип флэш-памяти : TLC 3D NAND V-NAND 3-bit MLC
Контроллер : SanDisk Samsung MKX
Назначение : внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой
Форм-фактор : M.2 2280 2.5"
Версия : для других стран для других стран
Вариант поставки : с радиатором
Емкость : 1 ТБ 250 ГБ
Подключение
Интерфейс : PCI-E, mini PCI-E SATA 6Gb/s
Cтандарт SSD : M.2 SATA
Тип разъема M.2 : 2280, M
Тип PCI-E : PCI-E 4.0 x4
Макс. скорость интерфейса : 16  МБ/с 560  МБ/с
Параметры накопителя
Объем буфера : 1000  МБ 512  МБ
Время наработки на отказ : 1750000  ч 88000  ч
Ударостойкость при работе : 1500  G 1500  G
Ударостойкость при хранении : 1500  G 1500  G
Скорость чтения : 7300  МБ/с 560  МБ/с
Скорость записи : 6300  МБ/с 530  МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) : 11000004  IOPS 88000  IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) : 600  ТБ 150  ТБ
Дополнительно
Потребляемая мощность : 0.33  Вт 2.2  Вт
Макс. рабочая температура : 85  °C 70  °C
Ширина : 23.4  мм 69.85  мм
Высота : 8.8  мм 6.8  мм
Длина : 80  мм 140  мм
Вес : 24  г 51  г
Функции
Поддержка технологий : NVMe, поддержка секторов размером 4 КБ TRIM, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ
Поддержка RAID : RAID 0, RAID 1, RAID 10, RAID 3, RAID 5, RAID 6

Где купить дешевле

Western Digital WDS100T2XHE

Загружаем цены...

Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)

Загружаем цены...