Silicon Power UD90 500 ГБ vs Samsung 990 PRO 1 ТБ

Silicon Power UD90 500 ГБ
Silicon Power UD90 500 ГБ
8.1/10 Отлично 133 отзыва
Средняя цена в магазинах 38 727 ₽
Все цены ↓
Samsung 990 PRO 1 ТБ
Samsung 990 PRO 1 ТБ
9.4/10 Великолепно выше на 1,3 493 отзыва
Средняя цена в магазинах 35 161 ₽
Все цены ↓
Silicon Power UD90 500 ГБ 8.1/10
Samsung 990 PRO 1 ТБ 9.4/10
Silicon Power UD90 500 ГБ
Хорошая цена — 72%
Samsung 990 PRO 1 ТБ
Дешевле на 9%
Скорость записи: 6 900 МБ/с против 4 200 МБ/с

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Silicon Power UD90 500 ГБ Samsung 990 PRO 1 ТБ
Скорость записи разница 64%
4 200 МБ/с
6 900 МБ/с ✓
Скорость чтения разница 55%
4 800 МБ/с
7 450 МБ/с ✓
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) разница в 12,9 раза
120 000 IOPS
1 550 000 IOPS ✓
Суммарное число записываемых байтов (TBW) разница в 2 раза
300 ТБ
600 ТБ ✓
Потребляемая мощность разница 67%
9 Вт
5,4 Вт ✓

Сравнение характеристик

  Silicon Power UD90 500 ГБ Samsung 990 PRO 1 ТБ
Дополнительная информация : - маскимальная потребляемая мощность в режиме Burst: 7.8 Вт
Основные характеристики
Линейка : UD90 990 PRO
Тип флэш-памяти : TLC 3D NAND V-NAND 3-bit MLC
Назначение : внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, сетевой накопитель (NAS) внешний, для межсетевого экрана, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, для систем видеонаблюдения, игровой, сетевой накопитель (NAS)
Форм-фактор : M.2 2280 M.2 2280
Емкость : 500 ГБ —
Контроллер : — Samsung
Подключение
Интерфейс : PCI-E PCI-E, SAS
Cтандарт SSD : M.2 M.2
Тип разъема M.2 : 2280, M 2280, M
Тип PCI-E : PCI-E 4.0 x4 PCI-E 4.0 x4
Макс. скорость интерфейса : — 7450  МБ/с
Параметры накопителя
Время наработки на отказ : 1500000  ч 1500000  ч
Ударостойкость при работе : 1500  G 1500  G
Скорость чтения : 4800  МБ/с 7450  МБ/с
Скорость записи : 4200  МБ/с 6900  МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) : 120000  IOPS 1550000  IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) : 300  ТБ 600  ТБ
Объем буфера : — 1024  МБ
Ударостойкость при хранении : — 1500  G
Дополнительно
Потребляемая мощность : 9  Вт 5.4  Вт
Макс. рабочая температура : 70  °C 70  °C
Ширина : 22  мм 22  мм
Высота : 3.5  мм 2  мм
Длина : 80  мм 80  мм
Вес : 8  г 9  г
Особенности : Поддержка NVMe —
Функции
Поддержка технологий : NVMe NVMe, TRIM, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ
Поддержка RAID : — RAID 0, RAID 1, RAID 10, RAID 5

Где купить дешевле

Silicon Power UD90 500 ГБ

Загружаем цены...

Samsung 990 PRO 1 ТБ

Загружаем цены...
↑