Silicon Power 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (SP008GBLFU266X02) vs Samsung DDR SODIMM (M425R2GA3BB0-CQK)

Silicon Power 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (SP008GBLFU266X02)
Silicon Power 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (SP008GBLFU266X02)
8.8/10 Отлично выше на 0,8 58 отзывов
Средняя цена в магазинах 102 166 ₽
Все цены ↓
Samsung DDR SODIMM (M425R2GA3BB0-CQK)
Samsung DDR SODIMM (M425R2GA3BB0-CQK)
8/10 Хорошо 139 отзывов
Средняя цена в магазинах 118 741 ₽
Все цены ↓
Silicon Power 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (SP008GBLFU266X02) 8.8/10
Samsung DDR SODIMM (M425R2GA3BB0-CQK) 8/10
Silicon Power 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (SP008GBLFU266X02)
Дешевле на 14%
чипы Samsung
CL: 19 против 40
Samsung DDR SODIMM (M425R2GA3BB0-CQK)
Отличная совместимость — 82%
Объем одного модуля: 16 ГБ против 8 ГБ

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

👍 Что хвалят чаще всего:
чипы Samsung
стабильная работа на 2666 МГц
разгон до 3200 МГц
двухканальный режим
гарантия 10 лет
👍 Что хвалят чаще всего:
Отличная совместимость (82%) — подходит ASUS TUF MSI Katana Lenovo Legion без конфликтов
Высокая производительность (65%) — убирает лаги в Stalker 2 Cyberpunk FPS растет 10-20
Стабильная работа (48%) — проходит OCCT AIDA MemTest без ошибок месяцами
Легкая установка (72%) — вставил завелась сразу без танцев с бубном
Соответствие характеристикам (55%) — 16 ГБ DDR5 4800 МГц тайминги по CPU-Z
👎 На что жалуются:
несовместимость с Kingston
отсутствие радиаторов
брак с ошибками MemTest
ограничение до 2133 МГц
отсутствие XMP-профиля.
👎 На что жалуются:
Плохая упаковка (47%) — пупырка блистер без коробки плашки болтаются
Высокая цена (28%) — дороже Kingston аналогов на 20-30%
Редкий брак (7%) — нерабочие модули ноут не стартует возврат нужен
Долгий запуск (16%) — 3 минуты загрузка ОС писк синий экран
Сомнения оригинальности (12%) — следы наклеек грязный пакет как б/у
Проценты показывают, как часто тема встречается в отзывах покупателей.

Ключевые отличия

Silicon Power 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (SP008GBLFU266X02) Samsung DDR SODIMM (M425R2GA3BB0-CQK)
CL разница в 2,1 раза
19 ✓
40
Объем одного модуля разница в 2 раза
8 ГБ
16 ГБ ✓
Тактовая частота разница 80%
2 666 МГц
4 800 МГц ✓
Напряжение питания разница 9%
1,2 В
1,1 В
Количество контактов разница 10%
288 ✓
262

Сравнение характеристик

  Silicon Power 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (SP008GBLFU266X02) Samsung DDR SODIMM (M425R2GA3BB0-CQK)
Дополнительная информация : Модуль памяти 1 шт. Оперативная память, документация
Общие характеристики
Объем одного модуля : 8 ГБ 16 ГБ
Характеристики
Тип : DDR4 DDR5
Форм-фактор : DIMM SODIMM
Количество модулей в комплекте : 1 шт. 1 шт.
Тактовая частота : 2666 МГц 4800 МГц
Пропускная способность : PC21300 PC38400
CL : 19 40
Напряжение питания : 1.2 В 1.1 В
Количество контактов : 288 262
Особенности : Unregistered Unregistered
Тип памяти : DDR4 DDR
tRCD : 19 40
tRP : 19 40
Упаковка чипов : односторонняя двусторонняя
Частота памяти : 2666 МГц —
Количество чипов каждого модуля : — 8 , односторонняя упаковка
Количество рангов : — есть
Совместимость : — для ноутбуков и мини ПК

Где купить дешевле

Silicon Power 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (SP008GBLFU266X02)

Загружаем цены...

Samsung DDR SODIMM (M425R2GA3BB0-CQK)

Загружаем цены...
Все отзывы и обзор Silicon Power 8 ГБ DDR4 DIMM CL19 (SP008GBLFU266X02)
Все отзывы и обзор Samsung DDR SODIMM (M425R2GA3BB0-CQK)
Отправить сообщение

Москва, Проспект Мира, д.102

Сайт носит исключительно информационный характер и не занимается продажей товаров.

Все товарные знаки принадлежат их правообладателям и используются исключительно для идентификации товаров в целях добросовестного информирования потребителей.

↑