Samsung MZ-V8P1T0BW vs Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)

Samsung MZ-V8P1T0BW
Samsung MZ-V8P1T0BW
9.8/10 Великолепно выше на 1,7 2 584 отзыва
Средняя цена в магазинах 27 990
Все цены ↓
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
8.1/10 Отлично 2 971 отзыв
Средняя цена в магазинах 23 529
Все цены ↓
Samsung MZ-V8P1T0BW 9.8/10
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) 8.1/10
Samsung MZ-V8P1T0BW
Высокая скорость чтения — 85%
Скорость записи: 5 000 МБ/с против 530 МБ/с
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Дешевле на 16%
Потребляемая мощность: 2,2 Вт против 6,2 Вт

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung MZ-V8P1T0BW Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Скорость записи разница в 9,4 раза
5 000 МБ/с
530 МБ/с
Время наработки на отказ разница в 17 раз
1 500 000 ч
88 000 ч
Макс. скорость интерфейса разница в 12,5 раза
7 000 МБ/с
560 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) разница в 11,4 раза
1 000 000 IOPS
88 000 IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) разница в 4 раза
600 ТБ
150 ТБ
Потребляемая мощность разница в 2,8 раза
6,2 Вт
2,2 Вт
Объем буфера разница в 2 раза
1 024 МБ
512 МБ

Сравнение характеристик

  Samsung MZ-V8P1T0BW Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Дополнительная информация : NVMe 1.3c, дополнительное ПО: ПО Magician для управления SSD внутренний SSD диск - 1 шт
Основные характеристики
Линейка : 980 PRO 870 EVO
Тип флэш-памяти : V-NAND 3-bit MLC V-NAND 3-bit MLC
Контроллер : Samsung Samsung MKX
Назначение : для настольного компьютера, игровой, для ноутбука, для систем видеонаблюдения, внешний, для сервера, для ноутбука и настольного компьютера, для межсетевого экрана внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой
Форм-фактор : M.2 2280 2.5"
Версия : Ростест (EAC) для других стран
Вариант поставки : без радиатора
Емкость : 1 ТБ 250 ГБ
Подключение
Интерфейс : PCI-E, SATA 3Gb/s SATA 6Gb/s
Cтандарт SSD : M.2 SATA
Тип разъема M.2 : 2280, M
Тип PCI-E : PCI-E 4.0 x4
Макс. скорость интерфейса : 7000  МБ/с 560  МБ/с
Параметры накопителя
Поддержка секторов размером 4 КБ : Да
Объем буфера : 1024  МБ 512  МБ
Шифрование данных : Да
Время наработки на отказ : 1500000  ч 88000  ч
Ударостойкость при работе : 1500  G 1500  G
Ударостойкость при хранении : 1500  G 1500  G
Скорость чтения : 7000  МБ/с 560  МБ/с
Скорость записи : 5000  МБ/с 530  МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) : 1000000  IOPS 88000  IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) : 600  ТБ 150  ТБ
Дополнительно
Потребляемая мощность : 6.2  Вт 2.2  Вт
Макс. рабочая температура : 70  °C 70  °C
Ширина : 22.15  мм 69.85  мм
Высота : 2.38  мм 6.8  мм
Длина : 80.15  мм 140  мм
Вес : 9  г 51  г
Функции
Поддержка технологий : TRIM, NVMe, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ TRIM, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ
Поддержка RAID : RAID 0 RAID 0, RAID 1, RAID 10, RAID 3, RAID 5, RAID 6

Где купить дешевле

Samsung MZ-V8P1T0BW

Загружаем цены...

Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)

Загружаем цены...