Samsung DDR ECC Registered vs Samsung DDR3 SO-DIMM

Samsung DDR ECC Registered

7.5/10 Хорошо 109 отзывов

Средняя цена в магазинах 2 427 ₽

Все цены ↓

Samsung DDR3 SO-DIMM

9/10 Отлично выше на 1,5 599 отзывов

Средняя цена в магазинах 2 689 ₽

Все цены ↓

Samsung DDR ECC Registered 7.5/10

Samsung DDR3 SO-DIMM 9/10

Samsung DDR ECC Registered

Дешевле на 10%

качественный звук

Samsung DDR3 SO-DIMM

Идеальная совместимость со старыми Intel-платформами

Количество контактов: 204 против 184

Samsung DDR ECC Registered

—

Samsung DDR3 SO-DIMM

Идеальная совместимость со старыми Intel-платформамиРаботает на Arrandale/Clarkdale и MacBook 2009 где другие бренды пасуют.
Высочайшая стабильность без ошибокНи одного BSOD после полугода эксплуатации в реальных отзывах.
Простая установка силами любого пользователяСистема видит модуль сразу без ручных настроек.
Заметное ускорение старых ноутбуковУходят тормоза и фризы при серфинге и офисных задачах.
Оригинальные чипы Samsung из КореиПолное отсутствие ремаркировки и следов кустарной пайки.

Высокая стоимость для DDR3Почти вдвое дороже небрендированных аналогов той же ёмкости.
Редкий механический брак ключаУ единичных экземпляров прорезь смещена на 0.5-0.7 мм.
Отсутствие теплораспределителейЧипы без дополнительного охлаждения что напрягает энтузиастов.
Цена может упасть после покупкиОдин покупатель расстроился снижению на 700 рублей через пару недель.
Только для устаревших систем с DDR3В новый ноутбук с DDR4/DDR5 не воткнуть физически.

Ключевые отличия

Samsung DDR ECC Registered Samsung DDR3 SO-DIMM

Напряжение питания разница 67%

2,5 В

1,5 В

Количество контактов разница 11%

184

204 ✓

Показать только различия

	Samsung DDR ECC Registered	Samsung DDR3 SO-DIMM
Общие характеристики
Объем одного модуля :	1 ГБ, 4 ГБ	2 ГБ, 4 ГБ, 8 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR	DDR3
Тактовая частота :	266 МГц	1066, 1333, 1600
Совместимость :	Samsung	Intel, AMD
Форм-фактор :	DIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт., 2 шт.
Пропускная способность :	PC2100	PC8500, PC10600, PC12800
CL :	2.5	7, 9, 11
Напряжение питания :	2.5 В	1.5 В
Количество контактов :	184	204
Особенности :	ECC, Registered	Unregistered
Частота памяти :	266 МГц	1066 МГц, 1333 МГц, 1600 МГц
tRCD :	3	7, 9, 11
tRP :	3	7, 9, 11
tRAS :	—	11, 24, 28, 30, 36
Количество чипов каждого модуля :	—	8, 16
Упаковка чипов :	—	двусторонняя
Количество рангов :	—	1, 2
Дополнительная информация :	—	Пропускная способность - 10600 МБ/с SO-DIMM (для ноутбука)