Samsung DDR ECC Registered vs Netac Basic DDR3

Samsung DDR ECC Registered
Samsung DDR ECC Registered
7.2/10 Хорошо 99 отзывов
Средняя цена в магазинах 2 427 ₽
Все цены ↓
Netac Basic DDR3
Netac Basic DDR3
9.3/10 Великолепно выше на 2,1 503 отзыва
Средняя цена в магазинах 2 011 ₽
Все цены ↓
Samsung DDR ECC Registered 7.2/10
Netac Basic DDR3 9.3/10
Samsung DDR ECC Registered
качественный звук
CL: 2,5 против 11
Netac Basic DDR3
Дешевле на 17%
Хорошая стабильность — 91%
Тактовая частота: 1 600 МГц против 266 МГц

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

качественный звук
долгая батарея
удобная посадка
стабильное подключение
водозащита
Низкая цена (82%) — новая по цене б/у Kingston с Avito
Хорошая стабильность (91%) — запускается на 1600 МГц без ошибок в Memtest
Улучшение скорости (48%) — ускоряет старые ПК в играх без зависаний
Качественные чипы Hynix (28%) — разгон до 1866 МГц и надежность как у брендов
Длинная гарантия (22%) — 120 месяцев от Ситилинка на все планки
слабое шумоподавление
проблемы с микрофоном
задержки в играх
хлипкий кейс
медленная зарядка
Несовместимость с G41 (9%) — требует двухранговые планки для старых чипсетов
Полноразмерная высота (7%) — не влезает под башенный кулер иногда
Возможный брак (6%) — нерабочие планки не видит система
Нет данных в CPU-Z (5%) — показывает только Netac без чипов Hynix
Проценты показывают, как часто тема встречается в отзывах покупателей.

Ключевые отличия

Samsung DDR ECC Registered Netac Basic DDR3
Тактовая частота разница в 6 раз
266 МГц
1 600 МГц ✓
CL разница в 4,4 раза
2,5 ✓
11
Напряжение питания разница 67%
2,5 В
1,5 В
Частота памяти разница в 6 раз
266 МГц
1 600 МГц ✓
tRCD разница в 3,7 раза
3 ✓
11
Количество контактов разница 30%
184
240 ✓

Сравнение характеристик

  Samsung DDR ECC Registered Netac Basic DDR3
Общие характеристики
Объем одного модуля : 1 ГБ, 4 ГБ 4 ГБ, 8 ГБ
Характеристики
Тип : DDR DDR3
Тактовая частота : 266 МГц 1600 МГц
Совместимость : Samsung Для ПК
Форм-фактор : DIMM DIMM
Количество модулей в комплекте : 1 шт. 1 шт.
Пропускная способность : PC2100 PC12800
CL : 2.5 11
Напряжение питания : 2.5 В 1.5 В
Количество контактов : 184 240
Частота памяти : 266 МГц 1600 МГц
Особенности : ECC, Registered Unregistered, низкопрофильная (Low Profile)
tRCD : 3 11
tRP : 3 11
Линейка : — Basics
tRAS : — 28
Количество рангов : — 2
Количество чипов каждого модуля : — 16 , односторонняя упаковка
Упаковка чипов : — двусторонняя, односторонняя
Дополнительная информация : — Модуль памяти

Где купить дешевле

Samsung DDR ECC Registered

Загружаем цены...

Netac Basic DDR3

Загружаем цены...
↑