Samsung DDR4 vs Micron DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM

Samsung DDR4

9/10 Отлично выше на 3,6 132 отзыва

Средняя цена в магазинах 10 339 ₽

Все цены ↓

Micron DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM

5.4/10 Плохо 7 отзывов

Средняя цена в магазинах 11 200 ₽

Все цены ↓

Samsung DDR4 9/10

Micron DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM 5.4/10

Samsung DDR4

Дешевле на 8%

Надежность в тестах — 71%

Количество контактов: 288 против 204

Micron DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM

Нечем выделиться по нашим данным

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung DDR4 Micron DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM

Напряжение питания разница 13%

1,2 В

1,35 В

Количество контактов разница 41%

288 ✓

204

Показать только различия

	Samsung DDR4	Micron DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM
Дополнительная информация :	1 - Оперативная память DDR4 16Gb SAMSUNG PC25600/3200MHz, CL22, 1.2V, M378A2K43EB1-CWE, OEM	—
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ, 32 ГБ	16 ГБ
Характеристики
tRAS :	21, 33, 40, 42, 43, 44, 45, 52	—
Количество чипов каждого модуля :	4, 8, 16	16 , односторонняя упаковка
Упаковка чипов :	двусторонняя, односторонняя	двусторонняя
Совместимость :	Samsung	Устройства с разъемом SODIMM на процессорах Intel 5-ого поколения (Broadwell)
Частота памяти :	2133 МГц, 2400 МГц, 2666 МГц, 2933 МГц, 3200 МГц	—
Тип :	DDR4	DDR3L
Форм-фактор :	DIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт., 2 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	2133, 2400, 2666, 2933, 3200	1600 МГц
Пропускная способность :	PC17000, PC19200, PC21300, PC23400, PC25600	PC12800
CL :	15, 17, 19, 21, 22	11
tRCD :	15, 17, 19, 21, 22	—
tRP :	15, 17, 19, 21, 22	—
Напряжение питания :	1.2 В	1.35 В
Количество рангов :	1, 2	2
Количество контактов :	288	204
Особенности :	XMP, Unregistered	—