Samsung DDR4 vs Hynix DDR4 2666 CL19 SO-DIMM

Samsung DDR4

9/10 Отлично выше на 3,3 132 отзыва

Средняя цена в магазинах 10 339 ₽

Все цены ↓

Hynix DDR4 2666 CL19 SO-DIMM

5.7/10 Плохо 11 отзывов

Средняя цена в магазинах 9 989 ₽

Все цены ↓

Samsung DDR4 9/10

Hynix DDR4 2666 CL19 SO-DIMM 5.7/10

Samsung DDR4

Надежность в тестах — 71%

Количество контактов: 288 против 260

Hynix DDR4 2666 CL19 SO-DIMM

Дешевле на 3%

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung DDR4 Hynix DDR4 2666 CL19 SO-DIMM

Количество контактов разница 11%

288 ✓

260

Показать только различия

	Samsung DDR4	Hynix DDR4 2666 CL19 SO-DIMM
Дополнительная информация :	1 - Оперативная память DDR4 16Gb SAMSUNG PC25600/3200MHz, CL22, 1.2V, M378A2K43EB1-CWE, OEM	для ноутбуков, моноблоков и других устройств с разъемом SODIMM DDR4
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ, 32 ГБ	16 ГБ
Характеристики
tRAS :	21, 33, 40, 42, 43, 44, 45, 52	19
Количество чипов каждого модуля :	4, 8, 16	16 , односторонняя упаковка
Упаковка чипов :	двусторонняя, односторонняя	двусторонняя
Совместимость :	Samsung	HMA851S6CJR6N-VK HMA81GS6CJR8N-VK HMA81GS6JJR8N-VK
Частота памяти :	2133 МГц, 2400 МГц, 2666 МГц, 2933 МГц, 3200 МГц	—
Тип :	DDR4	DDR4
Форм-фактор :	DIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт., 2 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	2133, 2400, 2666, 2933, 3200	2666 МГц
Пропускная способность :	PC17000, PC19200, PC21300, PC23400, PC25600	PC21300
CL :	15, 17, 19, 21, 22	19
tRCD :	15, 17, 19, 21, 22	19
tRP :	15, 17, 19, 21, 22	19
Напряжение питания :	1.2 В	1.2 В
Количество рангов :	1, 2	2
Количество контактов :	288	260
Особенности :	XMP, Unregistered	Unregistered