Samsung DDR4 vs Hynix DDR3 1600 CL11

Samsung DDR4

9.3/10 Великолепно выше на 3,9 82 отзыва

Средняя цена в магазинах 6 439 ₽

Все цены ↓

Hynix DDR3 1600 CL11

5.4/10 Плохо 8 отзывов

Средняя цена в магазинах 6 018 ₽

Все цены ↓

Samsung DDR4 9.3/10

Hynix DDR3 1600 CL11 5.4/10

Samsung DDR4

разгон до 3200 МГц

Объем одного модуля: 8 ГБ против 4 ГБ

Hynix DDR3 1600 CL11

Дешевле на 7%

CL: 11 против 17

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung DDR4 Hynix DDR3 1600 CL11

Объем одного модуля разница в 2 раза

8 ГБ ✓

4 ГБ

CL разница 55%

11 ✓

Тактовая частота разница 50%

2 400 МГц ✓

1 600 МГц

Напряжение питания разница 25%

1,2 В

1,5 В

Частота памяти разница 50%

2 400 МГц ✓

1 600 МГц

Количество контактов разница 20%

288 ✓

240

Показать только различия

	Samsung DDR4	Hynix DDR3 1600 CL11
Общие характеристики
Объем одного модуля :	8 ГБ	4 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR4	DDR3
Тактовая частота :	2400 МГц	1600 МГц
Совместимость :	Samsung	—
Форм-фактор :	DIMM	DIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Пропускная способность :	PC19200	PC12800
CL :	17	11
tRCD :	17	—
Частота памяти :	2400 МГц	1600 МГц
tRP :	17	—
Количество чипов каждого модуля :	16 , односторонняя упаковка	16 , односторонняя упаковка
Напряжение питания :	1.2 В	1.5 В
Количество рангов :	2	2
Количество контактов :	288	240
Упаковка чипов :	двусторонняя	двусторонняя
Особенности :	Unregistered	Unregistered