Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM vs Micron DDR4 2666 CL19 SO-DIMM

Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM

9.1/10 Великолепно выше на 3,7 250 отзывов

Средняя цена в магазинах 2 705 ₽

Все цены ↓

Micron DDR4 2666 CL19 SO-DIMM

5.4/10 Плохо 8 отзывов

Средняя цена в магазинах 2 466 ₽

Все цены ↓

Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM 9.1/10

Micron DDR4 2666 CL19 SO-DIMM 5.4/10

Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM

стабильная работа на 3200 МГц

Тактовая частота: 3 200 МГц против 2 666 МГц

Micron DDR4 2666 CL19 SO-DIMM

Дешевле на 9%

tRAS: 19 против 44

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM Micron DDR4 2666 CL19 SO-DIMM

Тактовая частота разница 20%

3 200 МГц ✓

2 666 МГц

CL разница 12%

17 ✓

tRAS разница в 2,3 раза

19 ✓

Количество чипов каждого модуля разница в 2 раза

16 ✓

tRCD разница 16%

19 ✓

Показать только различия

	Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM	Micron DDR4 2666 CL19 SO-DIMM
Дополнительная информация :	Модуль памяти	—
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ	4 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR4	DDR4
Форм-фактор :	SODIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	3200 МГц	2666 МГц
Пропускная способность :	PC25600	PC21300
CL :	17	19
tRCD :	22	19
tRP :	22	19
tRAS :	44	19
Количество чипов каждого модуля :	8 , односторонняя упаковка	16 , односторонняя упаковка
Напряжение питания :	1.2 В	1.2 В
Количество рангов :	есть	2
Количество контактов :	260	260
Упаковка чипов :	двусторонняя	двусторонняя
Особенности :	Registered, Unregistered	Unregistered
Совместимость :	Samsung	—
Частота памяти :	3200 МГц	—