Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM vs lanshuo DDR3 ECC Registered

Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM

9.1/10 Великолепно выше на 3,9 250 отзывов

Средняя цена в магазинах 2 705 ₽

Все цены ↓

lanshuo DDR3 ECC Registered

5.2/10 Плохо 9 отзывов

Средняя цена в магазинах 2 916 ₽

Все цены ↓

Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM 9.1/10

lanshuo DDR3 ECC Registered 5.2/10

Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM

Дешевле на 7%

стабильная работа на 3200 МГц

Тактовая частота: 3 200 МГц против 1 333 МГц

lanshuo DDR3 ECC Registered

Объем одного модуля: 8 ГБ против 4 ГБ

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM lanshuo DDR3 ECC Registered

Тактовая частота разница в 2,4 раза

3 200 МГц ✓

1 333 МГц

Объем одного модуля разница в 2 раза

4 ГБ

8 ГБ ✓

Количество контактов разница 8%

260 ✓

240

Показать только различия

	Samsung DDR4 3200 CL22 SO-DIMM	lanshuo DDR3 ECC Registered
Дополнительная информация :	Модуль памяти	—
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ	8 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR4	DDR3
Форм-фактор :	SODIMM	DIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	3200 МГц	1333 МГц
Пропускная способность :	PC25600	PC10600
CL :	17	—
tRCD :	22	—
tRP :	22	—
tRAS :	44	—
Количество чипов каждого модуля :	8 , односторонняя упаковка	—
Напряжение питания :	1.2 В	—
Количество рангов :	есть	—
Количество контактов :	260	240
Упаковка чипов :	двусторонняя	—
Особенности :	Registered, Unregistered	ECC, Registered, серверная
Совместимость :	Samsung	—
Частота памяти :	3200 МГц	—