Samsung DDR3L SO-DIMM vs G.SKILL Aegis DDR4

Сомнительная маркировка DDR3LПланка может работать как обычная DDR3 с напряжением 1.5В.
Чувствительность к слотамТребуется перестановка в другой разъём для стабильного запуска.
OEM-происхождение без гарантии SamsungНа деле это неоригинальный модуль с логотипом.
Отсутствие документации в комплектеНет инструкции и гарантийного талона.
Небольшой прирост скорости на старых ПК4 ГБ добавляют лишь базовое быстродействие.

Ключевые отличия

Samsung DDR3L SO-DIMM G.SKILL Aegis DDR4

Частота памяти разница в 2 раза

1 600 МГц

3 200 МГц ✓

Тактовая частота разница в 2 раза

1 600 МГц

3 200 МГц ✓

Количество контактов разница 41%

204

288 ✓

Показать только различия

	Samsung DDR3L SO-DIMM	G.SKILL Aegis DDR4
Дополнительная информация :	P/N M471B13DBO-YKO CL11 11-11-11-28	документация
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ, 8 ГБ	8 ГБ, 16 ГБ
Характеристики
tRAS :	11, 28, 30, 35	38
Количество чипов каждого модуля :	8, 16	16 , односторонняя упаковка
Упаковка чипов :	двусторонняя	—
Совместимость :	P/N M471B527DH0-YK0, M471B13DBO-YKO CL11 11-11-11-28	—
Частота памяти :	1600 МГц	3200 МГц
Тип :	DDR3L	DDR4
Форм-фактор :	SODIMM	DIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт., 2 шт.	1 шт., 2 шт.
Тактовая частота :	1600 МГц	3200 МГц
Пропускная способность :	PC12800	PC25600
CL :	10, 11	16
tRCD :	10, 11	18
tRP :	10, 11, 13	18
Напряжение питания :	1.3, 1.35, 1.5	1.35 В
Количество рангов :	1, 2	есть
Количество контактов :	204	288
Линейка :	—	Aegis
Особенности :	—	Unregistered, XMP, игровая, радиатор