Samsung Basic (M471B1G73BH0-YK0) vs Hynix 4 ГБ DDR3 DIMM CL11 (HMT351U6EFR8C-PB)

Samsung Basic (M471B1G73BH0-YK0)

9.3/10 Великолепно выше на 3,9 163 отзыва

Средняя цена в магазинах 5 264 ₽

Все цены ↓

5.4/10 Плохо 8 отзывов

Средняя цена в магазинах 6 018 ₽

Все цены ↓

Samsung Basic (M471B1G73BH0-YK0) 9.3/10

Hynix 4 ГБ DDR3 DIMM CL11 (HMT351U6EFR8C-PB) 5.4/10

Samsung Basic (M471B1G73BH0-YK0)

Дешевле на 13%

Отличная совместимость — 95%

Объем одного модуля: 8 ГБ против 4 ГБ

Hynix 4 ГБ DDR3 DIMM CL11 (HMT351U6EFR8C-PB)

Количество контактов: 240 против 204

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung Basic (M471B1G73BH0-YK0) Hynix 4 ГБ DDR3 DIMM CL11 (HMT351U6EFR8C-PB)

Объем одного модуля разница в 2 раза

8 ГБ ✓

4 ГБ

Напряжение питания разница 11%

1,35 В

1,5 В

Количество контактов разница 18%

204

240 ✓

Показать только различия

	Samsung Basic (M471B1G73BH0-YK0)	Hynix 4 ГБ DDR3 DIMM CL11 (HMT351U6EFR8C-PB)
Дополнительная информация :	Пропускная способность - 12800 МБ/с SO-DIMM (для ноутбука)	—
Общие характеристики
Объем одного модуля :	8 ГБ	4 ГБ
Характеристики
Линейка :	Basic	—
Тип :	DDR3L	DDR3
Форм-фактор :	SODIMM	DIMM
Тактовая частота :	1600 МГц	1600 МГц
Пропускная способность :	PC12800	PC12800
CL :	11	11
tRCD :	11	—
tRP :	11	—
tRAS :	28	—
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Количество чипов каждого модуля :	16 , односторонняя упаковка	16 , односторонняя упаковка
Напряжение питания :	1.35 В	1.5 В
Количество рангов :	2	2
Количество контактов :	204	240
Упаковка чипов :	двусторонняя	двусторонняя
Особенности :	игровая, Unregistered	Unregistered
Совместимость :	intel/amd	—
Частота памяти :	—	1600 МГц