Samsung 990 PRO 2 ТБ vs Silicon Power M55 120 ГБ

Samsung 990 PRO 2 ТБ
Samsung 990 PRO 2 ТБ
8.9/10 Отлично выше на 2,4 945 отзывов
Средняя цена в магазинах 62 305 ₽
Все цены ↓
Silicon Power M55 120 ГБ
Silicon Power M55 120 ГБ
6.5/10 Неплохо 46 отзывов
Средняя цена в магазинах 74 406 ₽
Все цены ↓
Samsung 990 PRO 2 ТБ 8.9/10
Silicon Power M55 120 ГБ 6.5/10
Samsung 990 PRO 2 ТБ
Дешевле на 16%
высокая скорость PCIe 4.0
Скорость чтения: 7 450 МБ/с против 560 МБ/с
Silicon Power M55 120 ГБ
Нечем выделиться по нашим данным

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 990 PRO 2 ТБ Silicon Power M55 120 ГБ
Скорость чтения разница в 13,3 раза
7 450 МБ/с ✓
560 МБ/с
Скорость записи разница в 13 раз
6 900 МБ/с ✓
530 МБ/с
Макс. скорость интерфейса разница в 12,4 раза
7 450 МБ/с ✓
600 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) разница в 6 раз
1 550 000 IOPS ✓
260 000 IOPS

Сравнение характеристик

  Samsung 990 PRO 2 ТБ Silicon Power M55 120 ГБ
Дополнительная информация : Твердотельный накопитель (SSD) Samsung 1 шт. Внутренний SSD диск
Основные характеристики
Линейка : 990 PRO —
Тип флэш-памяти : TLC 3D NAND TLC
Контроллер : Samsung Marvell 88NV1120
Назначение : внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, для систем видеонаблюдения, игровой, сетевой накопитель (NAS) для настольного компьютера, игровой, для ноутбука, внешний, для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор : M.2 2280 M.2 2280
Версия : CN —
Емкость : 2 ТБ 120 ГБ
Подключение
Интерфейс : PCI-E, SAS SATA 3Gb/s, SATA 6Gb/s
Cтандарт SSD : M.2 M.2
Тип разъема M.2 : 2280, M 2280, B&M
Тип PCI-E : PCI-E 4.0 x4 PCI-E 3.0 x4
Макс. скорость интерфейса : 7450  МБ/с 600  МБ/с
Параметры накопителя
Объем буфера : 2000  МБ —
Время наработки на отказ : 1500000  ч 1500000  ч
Ударостойкость при работе : 1500  G —
Ударостойкость при хранении : 1500  G —
Скорость чтения : 7450  МБ/с 560  МБ/с
Скорость записи : 6900  МБ/с 530  МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) : 1550000  IOPS 260000  IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) : 1200  ТБ —
Дополнительно
Потребляемая мощность : 5.5  Вт —
Макс. рабочая температура : 70  °C 70  °C
Ширина : 22  мм 22  мм
Высота : 2.3  мм 3.5  мм
Длина : 80  мм 80  мм
Вес : 9  г 8  г
Функции
Поддержка технологий : NVMe, TRIM, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ TRIM, NCQ, поддержка секторов размером 4 КБ

Где купить дешевле

Samsung 990 PRO 2 ТБ

Загружаем цены...

Silicon Power M55 120 ГБ

Загружаем цены...
↑