Samsung 8 ГБ DDR5 DIMM CL40 (M323R1GB4BB0-CQK) vs Netac Shadow (NTSDD4P26SP-16Y)

9.4/10 Великолепно выше на 2,7 52 отзыва

Средняя цена в магазинах 22 634 ₽

Все цены ↓

Netac Shadow (NTSDD4P26SP-16Y)

6.7/10 Неплохо 6 отзывов

Средняя цена в магазинах 18 866 ₽

Все цены ↓

Samsung 8 ГБ DDR5 DIMM CL40 (M323R1GB4BB0-CQK) 9.4/10

Netac Shadow (NTSDD4P26SP-16Y) 6.7/10

Samsung 8 ГБ DDR5 DIMM CL40 (M323R1GB4BB0-CQK)

Отличная производительность — 75%

Тактовая частота: 4 800 МГц против 2 666 МГц

Netac Shadow (NTSDD4P26SP-16Y)

Дешевле на 17%

CL: 19 против 40

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Samsung 8 ГБ DDR5 DIMM CL40 (M323R1GB4BB0-CQK)

Netac Shadow (NTSDD4P26SP-16Y)

—

Ключевые отличия

Samsung 8 ГБ DDR5 DIMM CL40 (M323R1GB4BB0-CQK) Netac Shadow (NTSDD4P26SP-16Y)

CL разница в 2,1 раза

19 ✓

Объем одного модуля разница в 2 раза

8 ГБ

16 ГБ ✓

Тактовая частота разница 80%

4 800 МГц ✓

2 666 МГц

Напряжение питания разница 9%

1,1 В

1,2 В

Частота памяти разница 80%

4 800 МГц ✓

2 666 МГц

tRAS разница 63%

43 ✓

Показать только различия

	Samsung 8 ГБ DDR5 DIMM CL40 (M323R1GB4BB0-CQK)	Netac Shadow (NTSDD4P26SP-16Y)
Дополнительная информация :	модуль памяти - 1 шт, документация	Модуль памяти Netac Shadow DDR4 DIMM 2666Mhz PC21300 CL19 - 16Gb NTSDD4P26SP-16Y
Общие характеристики
Объем одного модуля :	8 ГБ	16 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR5	DDR4
Форм-фактор :	DIMM	DIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	4800 МГц	2666 МГц
Пропускная способность :	PC38400	PC21300
CL :	40	19
tRCD :	40	19
tRP :	40	19
Напряжение питания :	1.1 В	1.2 В
Количество рангов :	есть	—
Количество контактов :	288	288
Упаковка чипов :	односторонняя	односторонняя
Особенности :	серверная	XMP, радиатор
Совместимость :	Samsung	—
Тип памяти :	DDR5	DDR4
Частота памяти :	4800 МГц	2666 МГц
tRAS :	70	43
Количество чипов каждого модуля :	8 , односторонняя упаковка	8 , односторонняя упаковка
Линейка :	—	Shadow
Дополнительно
Радиатор :	—	Да