Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM M378A1G44AB0-CWE vs SK hynix HMA82GS6JJR8N-VK

9/10 Отлично выше на 2,8 159 отзывов

Средняя цена в магазинах 10 339 ₽

Все цены ↓

SK hynix HMA82GS6JJR8N-VK

6.2/10 Неплохо 11 отзывов

Средняя цена в магазинах 11 142 ₽

Все цены ↓

Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM M378A1G44AB0-CWE 9/10

SK hynix HMA82GS6JJR8N-VK 6.2/10

Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM M378A1G44AB0-CWE

Дешевле на 7%

стабильность на 3200 МГц

Тактовая частота: 3 200 МГц против 2 666 МГц

SK hynix HMA82GS6JJR8N-VK

Объем одного модуля: 16 ГБ против 8 ГБ

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM M378A1G44AB0-CWE SK hynix HMA82GS6JJR8N-VK

Объем одного модуля разница в 2 раза

8 ГБ

16 ГБ ✓

Тактовая частота разница 20%

3 200 МГц ✓

2 666 МГц

Количество чипов каждого модуля разница в 4 раза

16 ✓

tRAS разница в 2,7 раза

19 ✓

Количество контактов разница 11%

288 ✓

260

Показать только различия

	Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM M378A1G44AB0-CWE	SK hynix HMA82GS6JJR8N-VK
Дополнительная информация :	Оперативная память, документация	для ноутбуков, моноблоков и других устройств с разъемом SODIMM DDR4
Общие характеристики
Объем одного модуля :	8 ГБ	16 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR4	DDR4
Форм-фактор :	DIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	3200 МГц	2666 МГц
Пропускная способность :	PC25600	PC21300
CL :	19	19
tRCD :	19	19
tRP :	19	19
Количество чипов каждого модуля :	4 , односторонняя упаковка	16 , односторонняя упаковка
Напряжение питания :	1.2 В	1.2 В
Количество рангов :	есть	2
Количество контактов :	288	260
Упаковка чипов :	односторонняя	двусторонняя
Особенности :	Unregistered, игровая	Unregistered
Совместимость :	Samsung	HMA851S6CJR6N-VK HMA81GS6CJR8N-VK HMA81GS6JJR8N-VK
Линейка :	Basic	—
Тип памяти :	DDR4	DDR4
tRAS :	52	19