Samsung 8 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (M378A1G43EB1-CRC) vs Hynix HMCG66MEBUA081N)

9.3/10 Великолепно выше на 9,3 82 отзыва

Средняя цена в магазинах 6 439 ₽

Все цены ↓

Hynix HMCG66MEBUA081N)

Samsung 8 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (M378A1G43EB1-CRC) 9.3/10

Hynix HMCG66MEBUA081N)

Samsung 8 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (M378A1G43EB1-CRC)

CL: 17 против 40

Hynix HMCG66MEBUA081N)

Тактовая частота: 4 800 МГц против 2 400 МГц

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 8 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (M378A1G43EB1-CRC) Hynix HMCG66MEBUA081N)

CL разница в 2,4 раза

17 ✓

Тактовая частота разница в 2 раза

2 400 МГц

4 800 МГц ✓

Напряжение питания разница 9%

1,2 В

1,1 В

tRCD разница в 2,3 раза

17 ✓

Частота памяти разница в 2 раза

2 400 МГц

4 800 МГц ✓

Показать только различия

	Samsung 8 ГБ DDR4 2400 МГц CL17 (M378A1G43EB1-CRC)	Hynix HMCG66MEBUA081N)
Общие характеристики
Объем одного модуля :	8 ГБ	8 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR4	DDR5
Тактовая частота :	2400 МГц	4800 МГц
Совместимость :	Samsung	—
Форм-фактор :	DIMM	DIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Пропускная способность :	PC19200	PC38400
CL :	17	40
tRCD :	17	39
Частота памяти :	2400 МГц	4800 МГц
tRP :	17	39
Количество чипов каждого модуля :	16 , односторонняя упаковка	—
Напряжение питания :	1.2 В	1.1 В
Количество рангов :	2	есть
Количество контактов :	288	288
Упаковка чипов :	двусторонняя	—
Особенности :	Unregistered	XMP