Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) vs Patriot Memory P400 (P400P512GM28H)

Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
7.9/10 Хорошо 1 240 отзывов
Средняя цена в магазинах 22 725
Все цены ↓
Patriot Memory P400 (P400P512GM28H)
Patriot Memory P400 (P400P512GM28H)
9.3/10 Великолепно выше на 1,4 81 отзыв
Средняя цена в магазинах 22 730
Все цены ↓
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) 7.9/10
Patriot Memory P400 (P400P512GM28H) 9.3/10
Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)
Ударостойкость при работе: 1 500 G против 150 G
Patriot Memory P400 (P400P512GM28H)
Высокая скорость чтения — 75%
Скорость записи: 4 800 МБ/с против 530 МБ/с

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) Patriot Memory P400 (P400P512GM28H)
Скорость записи разница в 9,1 раза
530 МБ/с
4 800 МБ/с
Скорость чтения разница в 8,9 раза
560 МБ/с
5 000 МБ/с
Время наработки на отказ разница в 22,7 раза
88 000 ч
2 000 000 ч
Ударостойкость при работе разница в 10 раз
1 500 G
150 G
Суммарное число записываемых байтов (TBW) разница в 6 раз
150 ТБ
900 ТБ
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) разница в 5,7 раза
88 000 IOPS
500 000 IOPS
Потребляемая мощность разница 8%
2,2 Вт
2,38 Вт

Сравнение характеристик

  Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) Patriot Memory P400 (P400P512GM28H)
Дополнительная информация : внутренний SSD диск - 1 шт производителем были изменены характеристики: скорость чтения с 5000 на 7000 MB/s, TBW с 800 TB на 450 TB
Основные характеристики
Линейка : 870 EVO P400
Тип флэш-памяти : V-NAND 3-bit MLC TLC 3D NAND
Контроллер : Samsung MKX Silicon Motion
Назначение : внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой внешний, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой
Форм-фактор : 2.5" M.2 2280
Версия : для других стран
Емкость : 250 ГБ
Подключение
Интерфейс : SATA 6Gb/s PCI-E
Cтандарт SSD : SATA M.2
Макс. скорость интерфейса : 560  МБ/с
Тип разъема M.2 : 2280, M
Тип PCI-E : PCI-E 4.0 x4
Параметры накопителя
Объем буфера : 512  МБ
Время наработки на отказ : 88000  ч 2000000  ч
Ударостойкость при работе : 1500  G 150  G
Ударостойкость при хранении : 1500  G 150  G
Скорость чтения : 560  МБ/с 5000  МБ/с
Скорость записи : 530  МБ/с 4800  МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) : 88000  IOPS 500000  IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) : 150  ТБ 900  ТБ
Дополнительно
Потребляемая мощность : 2.2  Вт 2.38  Вт
Макс. рабочая температура : 70  °C 70  °C
Ширина : 69.85  мм 22  мм
Высота : 6.8  мм 38  мм
Длина : 140  мм 80  мм
Вес : 51  г 9  г
Функции
Поддержка технологий : TRIM, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ NVMe, поддержка секторов размером 4 КБ
Поддержка RAID : RAID 0, RAID 1, RAID 10, RAID 3, RAID 5, RAID 6

Где купить дешевле

Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW)

Загружаем цены...

Patriot Memory P400 (P400P512GM28H)

Загружаем цены...