Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWE vs AMD R538G1601S2S-UO

Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWE
Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWE
6.9/10 Неплохо 18 отзывов
Средняя цена в магазинах 5 373
Все цены ↓
AMD R538G1601S2S-UO
AMD R538G1601S2S-UO
9.2/10 Великолепно выше на 2,3 124 отзыва
Средняя цена в магазинах 4 594
Все цены ↓
Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWE 6.9/10
AMD R538G1601S2S-UO 9.2/10
Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWE
Тактовая частота: 3 200 МГц против 1 600 МГц
AMD R538G1601S2S-UO
Дешевле на 14%
Легкая установка — 82%
Объем одного модуля: 8 ГБ против 4 ГБ

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWE AMD R538G1601S2S-UO
Объем одного модуля разница в 2 раза
4 ГБ
8 ГБ
Тактовая частота разница в 2 раза
3 200 МГц
1 600 МГц
CL разница 73%
19
11
Напряжение питания разница 25%
1,2 В
1,5 В
tRAS разница 43%
40
28
Количество контактов разница 41%
288
204

Сравнение характеристик

  Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWE AMD R538G1601S2S-UO
Дополнительная информация : Модуль памяти документация
Общие характеристики
Объем одного модуля : 4 ГБ 8 ГБ
Характеристики
Тип : DDR4 DDR3
Форм-фактор : DIMM SODIMM
Количество модулей в комплекте : 1 шт., 2 шт. 1 шт.
Тактовая частота : 3200 МГц 1600 МГц
Пропускная способность : PC25600 PC12800
CL : 19 11
tRCD : 19 11
tRP : 19 11
tRAS : 40 28
Напряжение питания : 1.2 В 1.5 В
Количество контактов : 288 204
Особенности : Unregistered Registered, Unregistered
Совместимость : Samsung AMD
Частота памяти : 3200 МГц
Тип памяти : DDR4 DDR3
Количество чипов каждого модуля : 16 , односторонняя упаковка
Упаковка чипов : двусторонняя
Графический процессор
Разработчик видеокарты : AMD

Где купить дешевле

Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CWE

Загружаем цены...

AMD R538G1601S2S-UO

Загружаем цены...