Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273DH0-CK0 vs Hynix HMA451S6AFR8N-TF

6.3/10 Неплохо 11 отзывов

Средняя цена в магазинах 1 736 ₽

Все цены ↓

Hynix HMA451S6AFR8N-TF

8.3/10 Отлично выше на 2,0 18 отзывов

Средняя цена в магазинах 1 662 ₽

Все цены ↓

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273DH0-CK0 6.3/10

Hynix HMA451S6AFR8N-TF 8.3/10

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273DH0-CK0

CL: 11 против 15

Hynix HMA451S6AFR8N-TF

Дешевле на 4%

Тактовая частота: 2 133 МГц против 1 600 МГц

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273DH0-CK0 Hynix HMA451S6AFR8N-TF

CL разница 36%

11 ✓

Тактовая частота разница 33%

1 600 МГц

2 133 МГц ✓

Напряжение питания разница 25%

1,5 В

1,2 В

Частота памяти разница 33%

1 600 МГц

2 133 МГц ✓

Количество контактов разница 8%

240

260 ✓

Показать только различия

	Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273DH0-CK0	Hynix HMA451S6AFR8N-TF
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ	4 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR3	DDR4
Форм-фактор :	DIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	1600 МГц	2133 МГц
Пропускная способность :	PC12800	PC17000
CL :	11	15
tRCD :	11	15
tRP :	11	15
Напряжение питания :	1.5 В	1.2 В
Количество рангов :	2	есть
Количество контактов :	240	260
Особенности :	Unregistered	Unregistered
Совместимость :	Samsung	—
Тип памяти :	DDR3	DDR4
Частота памяти :	1600 МГц	2133 МГц
tRAS :	—	33
Количество чипов каждого модуля :	—	8 , односторонняя упаковка
Упаковка чипов :	—	односторонняя