Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M471B5773DH0-CH9) vs Hynix HMA451S6AFR8N-TF

7.8/10 Хорошо 11 отзывов

Средняя цена в магазинах 1 442 ₽

Все цены ↓

Hynix HMA451S6AFR8N-TF

8.3/10 Отлично выше на 0,5 18 отзывов

Средняя цена в магазинах 1 662 ₽

Все цены ↓

Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M471B5773DH0-CH9) 7.8/10

Hynix HMA451S6AFR8N-TF 8.3/10

Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M471B5773DH0-CH9)

Дешевле на 13%

CL: 9 против 15

Hynix HMA451S6AFR8N-TF

Объем одного модуля: 4 ГБ против 2 ГБ

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M471B5773DH0-CH9) Hynix HMA451S6AFR8N-TF

Объем одного модуля разница в 2 раза

2 ГБ

4 ГБ ✓

CL разница 67%

9 ✓

Тактовая частота разница 60%

1 333 МГц

2 133 МГц ✓

Напряжение питания разница 25%

1,5 В

1,2 В

Частота памяти разница 60%

1 333 МГц

2 133 МГц ✓

Количество контактов разница 27%

204

260 ✓

Показать только различия

	Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M471B5773DH0-CH9)	Hynix HMA451S6AFR8N-TF
Общие характеристики
Объем одного модуля :	2 ГБ	4 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR3	DDR4
Тактовая частота :	1333 МГц	2133 МГц
Тип памяти :	DDR3	DDR4
Пропускная способность :	10600 МБ/с	PC17000
Форм-фактор :	SODIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Частота памяти :	1333 МГц	2133 МГц
CL :	9	15
tRCD :	9	15
tRP :	9	15
Напряжение питания :	1.5 В	1.2 В
Количество рангов :	есть	есть
Количество контактов :	204	260
Особенности :	Unregistered	Unregistered
tRAS :	—	33
Количество чипов каждого модуля :	—	8 , односторонняя упаковка
Упаковка чипов :	—	односторонняя