Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 vs Hynix HMA451S6AFR8N-TF

Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7
Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7
6.9/10 Неплохо 33 отзыва
Средняя цена в магазинах 1 957
Все цены ↓
Hynix HMA451S6AFR8N-TF
Hynix HMA451S6AFR8N-TF
8.3/10 Отлично выше на 1,4 18 отзывов
Средняя цена в магазинах 1 662
Все цены ↓
Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 6.9/10
Hynix HMA451S6AFR8N-TF 8.3/10
Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7
CL: 6 против 15
Hynix HMA451S6AFR8N-TF
Дешевле на 15%
Тактовая частота: 2 133 МГц против 800 МГц

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 Hynix HMA451S6AFR8N-TF
Тактовая частота разница в 2,7 раза
800 МГц
2 133 МГц
CL разница в 2,5 раза
6
15
Объем одного модуля разница в 2 раза
2 ГБ
4 ГБ
Напряжение питания разница 50%
1,8 В
1,2 В
tRCD разница в 3 раза
5
15
Частота памяти разница в 2,7 раза
800 МГц
2 133 МГц
tRAS разница в 2,2 раза
15
33
Количество чипов каждого модуля разница в 2 раза
16
8
Количество контактов разница 30%
200
260

Сравнение характеристик

  Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 Hynix HMA451S6AFR8N-TF
Общие характеристики
Объем одного модуля : 2 ГБ 4 ГБ
Характеристики
Тип : DDR2 DDR4
Форм-фактор : SODIMM SODIMM
Количество модулей в комплекте : 1 шт. 1 шт.
Тактовая частота : 800 МГц 2133 МГц
Пропускная способность : PC6400 PC17000
CL : 6 15
tRCD : 5 15
tRP : 5 15
tRAS : 15 33
Количество чипов каждого модуля : 16 , односторонняя упаковка 8 , односторонняя упаковка
Напряжение питания : 1.8 В 1.2 В
Количество рангов : 2 есть
Количество контактов : 200 260
Упаковка чипов : двусторонняя односторонняя
Особенности : Unregistered Unregistered
Совместимость : Samsung
Тип памяти : DDR2 DDR4
Частота памяти : 800 МГц 2133 МГц

Где купить дешевле

Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7

Загружаем цены...

Hynix HMA451S6AFR8N-TF

Загружаем цены...