Samsung 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL5 M470T5663QZ3-CE6 vs Hynix HMA451S6AFR8N-TF

7.5/10 Хорошо 36 отзывов

Средняя цена в магазинах 1 908 ₽

Все цены ↓

Hynix HMA451S6AFR8N-TF

8.3/10 Отлично выше на 0,8 18 отзывов

Средняя цена в магазинах 1 662 ₽

Все цены ↓

Samsung 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL5 M470T5663QZ3-CE6 7.5/10

Hynix HMA451S6AFR8N-TF 8.3/10

Samsung 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL5 M470T5663QZ3-CE6

CL: 5 против 15

Hynix HMA451S6AFR8N-TF

Дешевле на 13%

Тактовая частота: 2 133 МГц против 667 МГц

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Samsung 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL5 M470T5663QZ3-CE6 Hynix HMA451S6AFR8N-TF

Тактовая частота разница в 3,2 раза

667 МГц

2 133 МГц ✓

CL разница в 3 раза

5 ✓

Объем одного модуля разница в 2 раза

2 ГБ

4 ГБ ✓

Напряжение питания разница 50%

1,8 В

1,2 В

Частота памяти разница в 3,2 раза

667 МГц

2 133 МГц ✓

Количество чипов каждого модуля разница в 2 раза

16 ✓

Количество контактов разница 30%

200

260 ✓

Показать только различия

	Samsung 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL5 M470T5663QZ3-CE6	Hynix HMA451S6AFR8N-TF
Общие характеристики
Объем одного модуля :	2 ГБ	4 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR2	DDR4
Форм-фактор :	SODIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	667 МГц	2133 МГц
Пропускная способность :	PC5300	PC17000
CL :	5	15
tRCD :	5	15
tRP :	5	15
Количество чипов каждого модуля :	16 , односторонняя упаковка	8 , односторонняя упаковка
Напряжение питания :	1.8 В	1.2 В
Количество рангов :	2	есть
Количество контактов :	200	260
Упаковка чипов :	двусторонняя	односторонняя
Особенности :	Unregistered	Unregistered
Совместимость :	Samsung	—
Тип памяти :	DDR2	DDR4
Частота памяти :	667 МГц	2133 МГц
tRAS :	—	33