Модули оперативной памяти Micron - отзывы пользователей. Рейтинг лучших моделей 2025 года

Micron 4 ГБ DDR4 SODIMM CL22

1528 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600

Micron 4 ГБ DDR3 SODIMM (MT16JTF51264HZ-1G6M1)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: Unregistered

Micron 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA36ASF8G72PZ-2G9

2018 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Micron 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 MTA8ATF1G64HZ-2G6H1

2026 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300

Micron PC2-5300 So Dimm для ноутбука

2599 место из 5383

• тип: DDR2
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тактовая частота: 667 МГц
• Форм-фактор: SODIMM
• количество модулей в комплекте: 1
• CL: 5

Micron MT16KTF51264HZ-1G4M1 So-Dimm PC3-10600

2666 место из 5383

• тип: DDR3
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тактовая частота: 1333 МГц
• Форм-фактор: SODIMM
• количество модулей в комплекте: 1
• CL: 9

Micron DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E0

• тип: DDR2
• объем одного модуля: 4 ГБ
• объем одного модуля (точно): 4 ГБ
• тактовая частота: 800 МГц
• форм-фактор: DIMM
• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• CL: 6

Micron 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400S 800MHz

2996 место из 5383

• тип: DDR2
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тактовая частота: 800 МГц
• Форм-фактор: SODIMM
• количество модулей в комплекте: 1
• CL: 6

Micron 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 MTA36ASF4G72PZ-3G2

2095 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC

Micron DDR3L 16Gb 1600 MHz (MT16KTF2G64HZ-1G6A1)

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тактовая частота: 1600 МГц
• тип: DDR3L SODIMM 204-pin
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Micron 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA36ASF8G72PZ-2G9B2

1962 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Micron SO-DIMM DDR3 4GB (MT16KTF1G64AZ-1G6E1)

• тип: DDR3
• объем одного модуля: 4 ГБ
• объем одного модуля (точно): 4 ГБ
• тактовая частота: 1600 МГц
• форм-фактор: SODIMM
• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• CL: 11

Micron 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM MT8JTF51264AZ-1G6E1

2092 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Micron 8 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 MT36JSZF1G72PZ-1G4

1859 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: радиатор

Micron MTA72ASS4G72LZ-2G1

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тактовая частота: 2133 МГц
• тип: DDR4 LRDIMM
• тайминги: 15
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC
• серверная

Micron 64 ГБ DDR4 DIMM CL17 (MTA72ASS8G72LZ-2G3B2)

1315 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 LRDIMM
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200
• особенности: ECC

Micron 4 ГБ DDR4 DIMM (MTA9ASF51272PZ-2G1)

1416 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15-15-15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• особенности: ECC

Micron MT18JSF51272AZ-1G4D1

1433 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Micron 32 ГБ DDR3 RDIMM

1454 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• особенности: радиатор
• ECC

Micron MT36KSF2G72PZ-1G6

1460 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Micron MT18KSF1G72AZ-1G6

1492 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Micron 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 MT36KSF1G72PZ-1G6M2

1791 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Micron 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 MT36KSF2G72PZ-1G6N1

1828 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3L DIMM
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Micron 16 ГБ DDR3 1866 МГц DIMM CL13 MT36JSF2G72PZ-1G9

1830 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1866 МГц
• тайминги: 13-13-13
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC14900
• особенности: ECC

Micron 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA18ASF4G72PZ-2G9

1848 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Micron 64 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 MTA36ASF8G72PZ-3G2E1

1882 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 64 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 3200 МГц
• тайминги: 22-22-22
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC25600
• особенности: ECC

Micron 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL5 MT16HTF25664HY-667E1

1891 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 SODIMM 200-pin
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• напряжение питания: 1.8 В
• пропускная способность: PC5300

Micron 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 MT36KSF1G72PZ-1G6K1

1897 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 8 ГБ
• тип: DDR3L DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800
• особенности: ECC

Micron 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 MTA16ATF2G64HZ-2G3

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Micron 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA18ASF2G72PDZ-2G9J3

2021 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC

Micron 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 MT16HTF25664HZ-800H1

2031 место из 4119

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 2 ГБ
• тип: DDR2 SODIMM 200-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• тайминги: 6-6-6
• пропускная способность: PC6400

Micron 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA18ASF4G72PZ-2G9B1

2093 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• тайминги: 21-21-21
• пропускная способность: PC23400
• особенности: ECC
• буферизованная (Registered)

Micron 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM MTA36ASF4G72PZ-2G9E2

2094 место из 5383

• количество модулей в комплекте: 1 шт.
• объем одного модуля: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2933 МГц
• пропускная способность: PC23400

Micron 2 ГБ DDR2 800 МГц (MT18HTF25672AZ-80EM1)

3022 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• пропускная способность: PC6400
• особенности: ECC

Micron 2 ГБ DDR2 800 МГц (MT18HTF25672AZ-80EH1)

3029 место из 5383

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 800 МГц
• пропускная способность: PC6400
• особенности: ECC

Micron 8GB 1600MHz CL11 (MT16KTF1G64HZ-1G6E1)

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 SODIMM 204-pin
• тактовая частота: 1600 МГц
• тайминги: 11-11-11
• напряжение питания: 1.35 В
• пропускная способность: PC12800

Micron 16GB 2666MHz

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 SODIMM 260-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300

Micron 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (MT8JTF25664AZ-1G4M1)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Micron 2 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (MT8JTF25664AZ-1G4D1)

• объем памяти: 2 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600

Micron 8 ГБ DDR3 1866 МГц CL13 (MT18JDF1G72PZ-1G9E1)

3436 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1866 МГц
• тайминги: 13-13-13
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC14900
• низкопрофильная (Low Profile): да
• поддержка ECC: да

Micron 4 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (MT36JSZF51272PZ-1G4G1)

3449 место из 5383

• объем памяти: 4 ГБ
• тип: DDR3 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 1333 МГц
• тайминги: 9-9-9
• напряжение питания: 1.5 В
• пропускная способность: PC10600
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да

Micron 8 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (MT36HTS1G72FY-667A1D4)

3459 место из 5383

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• пропускная способность: PC5300
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 512 МБ DDR2 400 МГц CL3 (MT9HTF6472Y-40EB2)

3466 место из 5383

• объем памяти: 512 МБ
• тип: DDR2 DIMM 240-pin
• тактовая частота: 400 МГц
• тайминги: 3
• напряжение питания: 1.7 В
• пропускная способность: PC3200
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 1 ГБ DDR2 667 МГц CL5 (MT18HTF12872FDY-667B5E3)

3467 место из 5383

• объем памяти: 1 ГБ
• тип: DDR2 FB-DIMM
• тактовая частота: 667 МГц
• тайминги: 5-5-5
• пропускная способность: PC5300
• радиатор: да
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 32GB 2400MHz CL17 (MTA36ASF4G72PZ-2G3)

• объем памяти: 32 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2400 МГц
• тайминги: 17-17-17
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC19200

Micron 16GB 2133MHz CL15 (MTA36ASF2G72PZ-2G1B1)

3535 место из 5383

• объем памяти: 16 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2133 МГц
• тайминги: 15
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC17000
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Micron 2GB 1333MHz CL9 (MT18JSF25672AZ-1G4F1)

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 2 ГБ
• форм-фактор DIMM
• 240-контактный
• частота 1333 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 9

Micron 32GB 1600MHz CL11 (MT72KSZS4G72LZ-1G6)

3673 место из 5383

• 1 модуль памяти DDR3
• объем модуля 32 ГБ
• форм-фактор LRDIMM
• частота 1600 МГц
• поддержка ECC
• CAS Latency (CL): 11