Hynix HMA451S6AFR8N-TF vs Samsung 2 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5773CHS-CH9)

Hynix HMA451S6AFR8N-TF

8.3/10 Отлично выше на 1,3 18 отзывов

Средняя цена в магазинах 1 662 ₽

Все цены ↓

7/10 Неплохо 10 отзывов

Средняя цена в магазинах 1 441 ₽

Все цены ↓

Hynix HMA451S6AFR8N-TF 8.3/10

Samsung 2 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5773CHS-CH9) 7/10

Hynix HMA451S6AFR8N-TF

Объем одного модуля: 4 ГБ против 2 ГБ

Samsung 2 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5773CHS-CH9)

Дешевле на 13%

CL: 9 против 15

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Hynix HMA451S6AFR8N-TF Samsung 2 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5773CHS-CH9)

Объем одного модуля разница в 2 раза

4 ГБ ✓

2 ГБ

CL разница 67%

9 ✓

Тактовая частота разница 60%

2 133 МГц ✓

1 333 МГц

Напряжение питания разница 25%

1,2 В

1,5 В

Количество контактов разница 27%

260 ✓

204

tRAS разница 9%

33 ✓

Показать только различия

	Hynix HMA451S6AFR8N-TF	Samsung 2 ГБ DDR3 SODIMM (M471B5773CHS-CH9)
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ	2 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR4	DDR3
Форм-фактор :	SODIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	2133 МГц	1333 МГц
Пропускная способность :	PC17000	PC10600
CL :	15	9
tRCD :	15	9
tRP :	15	9
tRAS :	33	36
Количество чипов каждого модуля :	8 , односторонняя упаковка	8 , односторонняя упаковка
Напряжение питания :	1.2 В	1.5 В
Количество рангов :	есть	—
Количество контактов :	260	204
Упаковка чипов :	односторонняя	двусторонняя
Особенности :	Unregistered	Unregistered
Тип памяти :	DDR4	—
Частота памяти :	2133 МГц	—