Hynix DDR4 3200 CL22 SO-DIMM vs Samsung DDR3 SO-DIMM

Hynix DDR4 3200 CL22 SO-DIMM

Средняя цена в магазинах 2 466 ₽

Все цены ↓

Samsung DDR3 SO-DIMM

9/10 Отлично выше на 9,0 105 отзывов

Средняя цена в магазинах 2 890 ₽

Все цены ↓

Hynix DDR4 3200 CL22 SO-DIMM

Samsung DDR3 SO-DIMM 9/10

Hynix DDR4 3200 CL22 SO-DIMM

Дешевле на 15%

Тактовая частота: 3 200 МГц против 1 066 МГц

Samsung DDR3 SO-DIMM

Высокая стабильность работы — 92%

CL: 7 против 22

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Hynix DDR4 3200 CL22 SO-DIMM Samsung DDR3 SO-DIMM

CL разница в 3,1 раза

7 ✓

Тактовая частота разница в 3 раза

3 200 МГц ✓

1 066 МГц

Напряжение питания разница 25%

1,2 В

1,5 В

Количество чипов каждого модуля разница в 4 раза

16 ✓

Частота памяти разница в 3 раза

3 200 МГц ✓

1 066 МГц

Количество контактов разница 27%

260 ✓

204

Показать только различия

	Hynix DDR4 3200 CL22 SO-DIMM	Samsung DDR3 SO-DIMM
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ	4 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR4	DDR3
Форм-фактор :	SODIMM	SODIMM
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	3200 МГц	1066 МГц
Пропускная способность :	PC25600	PC8500
CL :	22	7
Количество чипов каждого модуля :	4 , односторонняя упаковка	16 , односторонняя упаковка
Напряжение питания :	1.2 В	1.5 В
Количество рангов :	есть	2
Количество контактов :	260	204
Упаковка чипов :	односторонняя	двусторонняя
Особенности :	Unregistered	Unregistered
Частота памяти :	3200 МГц	1066 МГц
tRCD :	—	7
tRP :	—	7
tRAS :	—	30
Совместимость :	—	Samsung