Hynix DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM vs Samsung DDR4

Hynix DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM

7.9/10 Хорошо 37 отзывов

Средняя цена в магазинах 5 861 ₽

Все цены ↓

Samsung DDR4

9.3/10 Великолепно выше на 1,4 82 отзыва

Средняя цена в магазинах 6 439 ₽

Все цены ↓

Hynix DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM 7.9/10

Samsung DDR4 9.3/10

Hynix DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM

Дешевле на 9%

CL: 11 против 17

Samsung DDR4

разгон до 3200 МГц

Тактовая частота: 2 400 МГц против 1 600 МГц

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Hynix DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM Samsung DDR4

CL разница 55%

11 ✓

Тактовая частота разница 50%

1 600 МГц

2 400 МГц ✓

Напряжение питания разница 8%

1,3 В

1,2 В

Частота памяти разница 50%

1 600 МГц

2 400 МГц ✓

Количество контактов разница 41%

204

288 ✓

Показать только различия

	Hynix DDR3L 1600 CL11 SO-DIMM	Samsung DDR4
Дополнительная информация :	Оригинальная продукция 100%	—
Общие характеристики
Объем одного модуля :	8 ГБ	8 ГБ
Характеристики
Тип :	DDR3L	DDR4
Тактовая частота :	1600 МГц	2400 МГц
Линейка :	Basic	—
Форм-фактор :	SODIMM	DIMM
Пропускная способность :	PC12800	PC19200
CL :	11	17
tRCD :	11	17
tRP :	11	17
tRAS :	35	—
Количество чипов каждого модуля :	16 , односторонняя упаковка	16 , односторонняя упаковка
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Частота памяти :	1600 МГц	2400 МГц
Напряжение питания :	1.3 В	1.2 В
Количество рангов :	2	2
Количество контактов :	204	288
Упаковка чипов :	двусторонняя	двусторонняя
Особенности :	Unregistered, игровая	Unregistered
Совместимость :	Intel/AMD	Samsung