Hynix 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 vs Samsung Basic (M378A1K43CB2-CTD)

6.8/10 Неплохо 17 отзывов

Средняя цена в магазинах 15 115 ₽

Все цены ↓

Samsung Basic (M378A1K43CB2-CTD)

9.3/10 Великолепно выше на 2,5 82 отзыва

Средняя цена в магазинах 17 762 ₽

Все цены ↓

Hynix 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 6.8/10

Samsung Basic (M378A1K43CB2-CTD) 9.3/10

Hynix 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22

Дешевле на 15%

Тактовая частота: 3 200 МГц против 2 666 МГц

Samsung Basic (M378A1K43CB2-CTD)

Объем одного модуля: 8 ГБ против 4 ГБ

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

Hynix 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 Samsung Basic (M378A1K43CB2-CTD)

Объем одного модуля разница в 2 раза

4 ГБ

8 ГБ ✓

Тактовая частота разница 20%

3 200 МГц ✓

2 666 МГц

CL разница 16%

19 ✓

tRAS разница 34%

32 ✓

Количество контактов разница 11%

260

288 ✓

Показать только различия

	Hynix 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22	Samsung Basic (M378A1K43CB2-CTD)
Общие характеристики
Объем одного модуля :	4 ГБ	8 ГБ
Буферизованная (Registered) :	Да	—
Низкопрофильная (Low Profile) :	Да	—
Характеристики
Количество модулей в комплекте :	1 шт.	1 шт.
Тактовая частота :	3200 МГц	2666 МГц
Тип :	DDR4	DDR4
Форм-фактор :	SODIMM	DIMM
Пропускная способность :	PC25600	PC21300
CL :	22	19
tRCD :	22	19
tRP :	22	19
Напряжение питания :	1.2 В	1.2 В
Количество рангов :	есть	есть
Количество контактов :	260	288
Особенности :	ECC, Registered, низкопрофильная (Low Profile)	игровая, Unregistered, низкопрофильная (Low Profile)
Тип памяти :	DDR4	DDR4
tRAS :	32	43
Количество чипов каждого модуля :	8 , односторонняя упаковка	8 , односторонняя упаковка
Упаковка чипов :	двусторонняя	односторонняя
Линейка :	—	Basic
Совместимость :	—	чипы C-die
Частота памяти :	—	2666 МГц
Дополнительная информация :	—	Оригинальная продукция 100%