GIGABYTE M.2 GP-ASM2NE6200TTTD vs Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)

GIGABYTE M.2 GP-ASM2NE6200TTTD
GIGABYTE M.2 GP-ASM2NE6200TTTD
6.5/10 Неплохо 17 отзывов
Средняя цена в магазинах 142 633 ₽
Все цены ↓
Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)
Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)
9.3/10 Великолепно выше на 2,8 475 отзывов
Средняя цена в магазинах 129 160 ₽
Все цены ↓
GIGABYTE M.2 GP-ASM2NE6200TTTD 6.5/10
Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW) 9.3/10
GIGABYTE M.2 GP-ASM2NE6200TTTD
Скорость чтения: 5 000 МБ/с против 550 МБ/с
Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)
Дешевле на 9%
высокая скорость загрузки
Потребляемая мощность: 2,2 Вт против 6,6 Вт

Цена — средняя по магазинам, проценты в плюсах — доля упоминаний темы в отзывах.

Ключевые отличия

GIGABYTE M.2 GP-ASM2NE6200TTTD Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)
Скорость чтения разница в 9,1 раза
5 000 МБ/с ✓
550 МБ/с
Скорость записи разница в 8,5 раза
4 400 МБ/с ✓
520 МБ/с
Суммарное число записываемых байтов (TBW) разница в 24 раза
3 600 ТБ ✓
150 ТБ
Макс. скорость интерфейса разница в 8,3 раза
5 000 МБ/с ✓
600 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) разница в 8 раз
700 000 IOPS ✓
88 000 IOPS
Объем буфера разница в 3,9 раза
2 000 МБ ✓
512 МБ
Потребляемая мощность разница в 3 раза
6,6 Вт
2,2 Вт ✓
Время наработки на отказ разница 18%
1 770 000 ч ✓
1 500 000 ч

Сравнение характеристик

  GIGABYTE M.2 GP-ASM2NE6200TTTD Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)
Дополнительная информация : технология компенсации и выравнивания износа Over-Provision, полноразмерный медный радиатор Упаковка, накопитель
Основные характеристики
Тип флэш-памяти : TLC 3D NAND V-NAND 3-bit MLC
Контроллер : Phison PS5016-E16 Samsung
Назначение : для настольного компьютера, игровой, внешний для настольного компьютера, игровой, для ноутбука, внешний, для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор : M.2 2280 M.2 2280
Емкость : 2 ТБ 250 ГБ
Линейка : — 860 EVO
Версия : — Global
Подключение
Интерфейс : PCI-E SATA 6Gb/s
Cтандарт SSD : M.2 M.2
Тип разъема M.2 : 2280, B&M 2280, B&M
Тип PCI-E : PCI-E 4.0 x4 PCI-E 3.0 x4
Макс. скорость интерфейса : 5000  МБ/с 600  МБ/с
Параметры накопителя
Объем буфера : 2000  МБ 512  МБ
Время наработки на отказ : 1770000  ч 1500000  ч
Ударостойкость при работе : 1500  G 1500  G
Ударостойкость при хранении : 1500  G 1500  G
Скорость чтения : 5000  МБ/с 550  МБ/с
Скорость записи : 4400  МБ/с 520  МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) : 700000  IOPS 88000  IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) : 3600  ТБ 150  ТБ
Дополнительно
Потребляемая мощность : 6.6  Вт 2.2  Вт
Макс. рабочая температура : 70  °C 70  °C
Ширина : 23.5  мм 22.15  мм
Высота : 11.4  мм 2.38  мм
Длина : 80.5  мм 80.15  мм
Вес : — 8  г
Функции
Поддержка технологий : TRIM, NVMe, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ TRIM, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ

Где купить дешевле

GIGABYTE M.2 GP-ASM2NE6200TTTD

Загружаем цены...

Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)

Загружаем цены...
Все отзывы и обзор GIGABYTE M.2 GP-ASM2NE6200TTTD
Все отзывы и обзор Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)
Отправить сообщение

Москва, Проспект Мира, д.102

Сайт носит исключительно информационный характер и не занимается продажей товаров.

Все товарные знаки принадлежат их правообладателям и используются исключительно для идентификации товаров в целях добросовестного информирования потребителей.

↑